逻辑变量的取值，１比０大。（ ） A:错 B:对 答案: 错以下电路中常用于总线应用的有( )。 A:CMOS与非门 B:漏极开路门 C:OC门 D:TSL门 答案: TSL门 逻辑变量的取值，１比０大。（ ） A:错 B:对 答案: 错以下电路中常用于总线应用的有( )。 A:CMOS与非门 B:漏极开路门 C:OC门 D:TSL门 答案: TSL门 2022-01-28 18
十进制数25用8421BCD码表示为( )。 A:0010 0101 B:1001011 C:100101 D:10 101 答案: 0010 0101 用取样法消除两级与非门电路中可能出现的冒险，以下说法哪一种是正确并优先考虑的？（ ） 十进制数25用8421BCD码表示为( )。 A:0010 0101 B:1001011 C:100101 D:10 101 答案: 0010 0101 用取样法消除两级与非门电路中可能出现的冒险，以下说法哪一种是正确并优先考虑的？（ ） 2022-01-28 13
共有四个站进行码分多址CDMA通信，四个站的序列为：A．（-1-1-1+1+1-1+1+1）B.（-1-1+1-1+1+1+1-1）C．（-1+1-1+1+1+1-1-1）D.（-1+1-1-1-1-1+1-1）现收到这样的码片序列：（-1 共有四个站进行码分多址CDMA通信，四个站的序列为：A．（-1-1-1+1+1-1+1+1）B.（-1-1+1-1+1+1+1-1）C．（-1+1-1+1+1+1-1-1）D.（-1+1-1-1-1-1+1-1）现收到这样的码片序列：（-1 2022-01-17 11
立方晶体中，垂直a轴的晶面的晶面指数为（ ）。A:（001） B:（100） C:（010） D:（110） 答案: （100） 立方晶体中，垂直a轴的晶面的晶面指数为（ ）。A:（001） B:（100） C:（010） D:（110） 答案: （100） 2022-01-13 12
A:方向性 B:饱和性 C:键合强 D:键合弱 答案: 方向性;饱和性;键合强氢键无方向性。 A:方向性 B:饱和性 C:键合强 D:键合弱 答案: 方向性;饱和性;键合强氢键无方向性。 2022-01-07 21
A:金刚石 B:石墨 C:NaCl晶体 D:铜 答案: 金刚石n=2的L电子层最多可容纳多少个电子（）。 A:金刚石 B:石墨 C:NaCl晶体 D:铜 答案: 金刚石n=2的L电子层最多可容纳多少个电子（）。 2022-01-07 13
材料是人类社会 用来制造 构件器件的物质（ ）。A:可接受的可容易的有用的 B:可接受的可经济的有用的 C:可接受的可经济的功能的 D:常见的可经济的有用的 答案: 可接受的可经济的有用的 材料是人类社会 用来制造 构件器件的物质（ ）。A:可接受的可容易的有用的 B:可接受的可经济的有用的 C:可接受的可经济的功能的 D:常见的可经济的有用的 答案: 可接受的可经济的有用的 2022-01-05 18
B:体心西方点阵 C:面心四方点阵 D:A心四方点阵 答案: 简单四方点阵 ;体心西方点阵;面心四方点阵;A心四方点阵 B:体心西方点阵 C:面心四方点阵 D:A心四方点阵 答案: 简单四方点阵 ;体心西方点阵;面心四方点阵;A心四方点阵 2021-11-15 11
体心立方次密堆积结构的密排面为（ ）。 A:（100） B:（001） C:（111） D:（110） 答案: （110） 体心立方次密堆积结构的密排面为（ ）。 A:（100） B:（001） C:（111） D:（110） 答案: （110） 2021-11-14 13
体心立方次密堆积结构的密排面为（ ）。 A:（100） B:（001） C:（111） D:（110） 答案: （110） 体心立方次密堆积结构的密排面为（ ）。 A:（100） B:（001） C:（111） D:（110） 答案: （110） 2021-11-14 16
杂质离子取代晶体结构中某一结点上的离子而不改变晶体结构类型的现象称为同晶取代现象。( ) A:对 B:错 答案: 对 杂质离子取代晶体结构中某一结点上的离子而不改变晶体结构类型的现象称为同晶取代现象。( ) A:对 B:错 答案: 对 2021-11-13 11
金属能导电的原因是（）。 A:金属晶体在外加电场的作用下失去电子 B:金属晶体中金属阳离子在外加电场的作用下可发生定向移动 C:金属晶体中自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动 D:金属晶体中金属阳离子与自由电子的作用力较弱 答案: 金属 金属能导电的原因是（）。 A:金属晶体在外加电场的作用下失去电子 B:金属晶体中金属阳离子在外加电场的作用下可发生定向移动 C:金属晶体中自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动 D:金属晶体中金属阳离子与自由电子的作用力较弱 答案: 金属 2021-11-12 22
在层状硅酸盐矿物中，若全部的八面体空隙被阳离子所填充称为 体型结构。 A:三八面体 B:1:1 C:2:1 D:二八面体 答案: 三八面体 在层状硅酸盐矿物中，若全部的八面体空隙被阳离子所填充称为 体型结构。 A:三八面体 B:1:1 C:2:1 D:二八面体 答案: 三八面体 2021-11-12 10
在层状硅酸盐矿物中，若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体型结构。 A:对 B:错 答案: 错 在层状硅酸盐矿物中，若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体型结构。 A:对 B:错 答案: 错 2021-11-11 13
在层状硅酸盐矿物中，若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体型结构。 A:对 B:错 答案: 错 在层状硅酸盐矿物中，若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体型结构。 A:对 B:错 答案: 错 2021-11-11 17
金属晶体的形成是由于金属中存在（）。 A:金属原子间的相互作用 B:金属离子间的相互作用 C:金属离子与电子间的相互作用 D:金属原子与电子间的相互作用 答案: 金属离子与电子间的相互作用 金属晶体的形成是由于金属中存在（）。 A:金属原子间的相互作用 B:金属离子间的相互作用 C:金属离子与电子间的相互作用 D:金属原子与电子间的相互作用 答案: 金属离子与电子间的相互作用 2021-11-11 16
金属晶体的形成是由于金属中存在（）。 A:金属原子间的相互作用 B:金属离子间的相互作用 C:金属离子与电子间的相互作用 D:金属原子与电子间的相互作用 答案: 金属离子与电子间的相互作用 金属晶体的形成是由于金属中存在（）。 A:金属原子间的相互作用 B:金属离子间的相互作用 C:金属离子与电子间的相互作用 D:金属原子与电子间的相互作用 答案: 金属离子与电子间的相互作用 2021-11-11 16
GaAs是目前非常出色的半导体材料，其晶体结构属于（ ）。 A:NaCl型晶体结构 B:CsCl型晶体结构 C:闪锌矿结构 D:纤锌矿结构 答案: 闪锌矿结构 GaAs是目前非常出色的半导体材料，其晶体结构属于（ ）。 A:NaCl型晶体结构 B:CsCl型晶体结构 C:闪锌矿结构 D:纤锌矿结构 答案: 闪锌矿结构 2021-11-08 20
按照溶质原子在溶剂点阵中的溶解度可将溶体分为（ ）。 A:连续固溶体 B:间隙固溶体 C:无限固溶体 D:置换固溶体 答案: 连续固溶体;无限固溶体 按照溶质原子在溶剂点阵中的溶解度可将溶体分为（ ）。 A:连续固溶体 B:间隙固溶体 C:无限固溶体 D:置换固溶体 答案: 连续固溶体;无限固溶体 2021-11-07 11
