n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10- n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10- 2022-02-13 15
以四价原子二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（ ） A: B: C: D: 答案:离子位移极化和电子位移极化的表达式一样，都具有弹性偶极子的极化性质，由于离子质量远高于电子质量,因此极化建立的时间也较电子慢。（ ） A:对 B:错 以四价原子二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（ ） A: B: C: D: 答案:离子位移极化和电子位移极化的表达式一样，都具有弹性偶极子的极化性质，由于离子质量远高于电子质量,因此极化建立的时间也较电子慢。（ ） A:对 B:错 2022-02-08 20
Na的密度1.013g/cm3，原子量为22.99，计算Na在0K时自由电子的平均能量（ ） A:3.25eV B:1.95eV C:6.5eV D:3.9eV 答案: 1.95eV结合电子位移极化率的公式判断，离子体积越大其电子位移极化率 Na的密度1.013g/cm3，原子量为22.99，计算Na在0K时自由电子的平均能量（ ） A:3.25eV B:1.95eV C:6.5eV D:3.9eV 答案: 1.95eV结合电子位移极化率的公式判断，离子体积越大其电子位移极化率 2022-02-06 17
费密能EF表示T＞0K时电子占有几率为（ ）的能级能量 A:1/2 B:1 C:1/4 D:0 答案: 1/2已知He原子（单原子气体）的极化率为 ，计算在标准状态下，其介电常数 及折射率n。( ) A: B: C: D: 答案:下图中二维 费密能EF表示T＞0K时电子占有几率为（ ）的能级能量 A:1/2 B:1 C:1/4 D:0 答案: 1/2已知He原子（单原子气体）的极化率为 ，计算在标准状态下，其介电常数 及折射率n。( ) A: B: C: D: 答案:下图中二维 2022-02-03 18
比较碱金属元素LiNaKRbCs的费密能大小（ ） A:无法比较 B:Li=Na=K=Rb=Cs C:Li＞Na＞K＞Rb＞Cs D:Li＜Na＜K＜Rb＜Cs 答案: Li＞Na＞K＞Rb＞Cs CsBr晶体具有类似于CsCl晶体的晶体结 比较碱金属元素LiNaKRbCs的费密能大小（ ） A:无法比较 B:Li=Na=K=Rb=Cs C:Li＞Na＞K＞Rb＞Cs D:Li＜Na＜K＜Rb＜Cs 答案: Li＞Na＞K＞Rb＞Cs CsBr晶体具有类似于CsCl晶体的晶体结 2022-02-02 17
霍尔系数只与金属中的（ ）有关。 A:自由电子密度 B:费密分布函数 C:费密能级 D:费密温度 答案: 自由电子密度已知CO2 在T＝300K时， ， ，n = 1.000185，求其固有的偶极矩 。（ ） A: B: C: D: 答案: 霍尔系数只与金属中的（ ）有关。 A:自由电子密度 B:费密分布函数 C:费密能级 D:费密温度 答案: 自由电子密度已知CO2 在T＝300K时， ， ，n = 1.000185，求其固有的偶极矩 。（ ） A: B: C: D: 答案: 2022-02-02 21
三维晶体的布里渊区的界面构成一多面体，下图中为体心立方晶格第一布里渊区的为（ ） A: B: C: D:圆球 答案:在居里温度(120℃)以上，钛酸钡属于等轴晶系，晶格常数 ，已知O2-离子半径为 .求两个O离子间的空隙。（ ） A: B: 三维晶体的布里渊区的界面构成一多面体，下图中为体心立方晶格第一布里渊区的为（ ） A: B: C: D:圆球 答案:在居里温度(120℃)以上，钛酸钡属于等轴晶系，晶格常数 ，已知O2-离子半径为 .求两个O离子间的空隙。（ ） A: B: 2022-02-02 17
如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（ ） A:-1.099kT，1.099kT B:1.099kT，1.099kT C:-1.099kT，-1.099kT D:1.09 如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（ ） A:-1.099kT，1.099kT B:1.099kT，1.099kT C:-1.099kT，-1.099kT D:1.09 2022-01-31 20
如果对某试样测得的霍尔系数RH为正值，则其电导载流子为电子。（ ） A:错 B:对 答案: 错因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数大于金属。（ ） A:错 B:对 答案: 对 如果对某试样测得的霍尔系数RH为正值，则其电导载流子为电子。（ ） A:错 B:对 答案: 错因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数大于金属。（ ） A:错 B:对 答案: 对 2021-12-26 19
空位随温度升高而增加，在和之间，由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%，而密度减少2.0%，假设在时，此金属中每1000个单位晶胞中有1个空位，试估计在时每1000个单位晶胞中有多少个空位？（bcc铁单位晶胞中有2个原子，假设晶格不变） 空位随温度升高而增加，在和之间，由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%，而密度减少2.0%，假设在时，此金属中每1000个单位晶胞中有1个空位，试估计在时每1000个单位晶胞中有多少个空位？（bcc铁单位晶胞中有2个原子，假设晶格不变） 2021-12-25 12
TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位， TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位， 2021-12-24 26
在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ） A:1.33×10-31 B:2.21×10-24 C:1.72×10-4 D:1.41×10-5 答案: 1.72 在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ） A:1.33×10-31 B:2.21×10-24 C:1.72×10-4 D:1.41×10-5 答案: 1.72 2021-12-23 25
方镁石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常数是0.42nm，计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目（MgO为立方晶系，1个MgO晶胞中有4个MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（ ） A:0.0082 B: 方镁石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常数是0.42nm，计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目（MgO为立方晶系，1个MgO晶胞中有4个MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（ ） A:0.0082 B: 2021-12-21 18
A:n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV B:n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.362eV C:n0=5´1012cm-3, p0=4.5´10 A:n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV B:n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.362eV C:n0=5´1012cm-3, p0=4.5´10 2021-12-20 12
一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子 tgδ为0.02。 求相对介电常数（ ） A:3.39 B:3.28 C:4.51 D:3.00 答案: 3.39 一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子 tgδ为0.02。 求相对介电常数（ ） A:3.39 B:3.28 C:4.51 D:3.00 答案: 3.39 2021-11-04 14
若把温度T 从超导转变温度下降,则超导体的临界磁场也随之增加。（ ） A:错 B:对 答案: 对 如果输入电流所产生的磁场与外加磁场之和超过超导体的临界磁场Bc 时, 则超导态被破坏。（ ） A:错 B:对 答案: 对 若把温度T 从超导转变温度下降,则超导体的临界磁场也随之增加。（ ） A:错 B:对 答案: 对 如果输入电流所产生的磁场与外加磁场之和超过超导体的临界磁场Bc 时, 则超导态被破坏。（ ） A:错 B:对 答案: 对 2021-11-03 10
氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h•+OO 。（ ） A:对 B:错 答案: 对 亚间隙机构与空位机构相比，造成的晶格变形大；与间隙机构相比，晶格变形小。AgB 氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h•+OO 。（ ） A:对 B:错 答案: 对 亚间隙机构与空位机构相比，造成的晶格变形大；与间隙机构相比，晶格变形小。AgB 2021-11-02 11
在MgO中形成Schottky缺陷时，缺陷反应式为 。（ ） A:错 B:对 答案: 对 少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为 。 （ ） A:错 B:对 答案 在MgO中形成Schottky缺陷时，缺陷反应式为 。（ ） A:错 B:对 答案: 对 少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为 。 （ ） A:错 B:对 答案 2021-10-31 12
在MgO中形成Schottky缺陷时，缺陷反应式为 。（ ） A:错 B:对 答案: 对 少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为 。 （ ） A:错 B:对 答案 在MgO中形成Schottky缺陷时，缺陷反应式为 。（ ） A:错 B:对 答案: 对 少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为 。 （ ） A:错 B:对 答案 2021-10-31 28
ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.606g/cm3，这种情况下产生间隙型固溶体。（ ） A:错 B:对 答案: 错 晶体产生Frenkel缺陷时，晶体体积变大，晶体 ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.606g/cm3，这种情况下产生间隙型固溶体。（ ） A:错 B:对 答案: 错 晶体产生Frenkel缺陷时，晶体体积变大，晶体 2021-10-30 11
半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（ ） A:错 B:对 答案: 对 如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中 半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（ ） A:错 B:对 答案: 对 如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中 2021-10-29 9
半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（ ） A:错 B:对 答案: 对 如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中 半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（ ） A:错 B:对 答案: 对 如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中 2021-10-29 12
导体从正常态转变为超导态的温度是超导体的临界温度Tc。（ ） A:错 B:对 答案: 对 俘获了空穴的阳离子空位为F心。（ ） A:错 B:对 答案: 错 导体从正常态转变为超导态的温度是超导体的临界温度Tc。（ ） A:错 B:对 答案: 对 俘获了空穴的阳离子空位为F心。（ ） A:错 B:对 答案: 错 2021-10-29 10
砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（ ） A:对 B:错 答案: 对 EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（ ） A:错 B:对 答案: 对 砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（ ） A:对 B:错 答案: 对 EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（ ） A:错 B:对 答案: 对 2021-10-29 11
在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成正偏压。（ ） A:错 B:对 答案: 错 处于超导态的超导体是一抗磁体，此时超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。（ ） A:错 B:对 答案: 对 在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成正偏压。（ ） A:错 B:对 答案: 错 处于超导态的超导体是一抗磁体，此时超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。（ ） A:错 B:对 答案: 对 2021-10-29 13
一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（ ） A:错 B:对 答案: 对 II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（ ） A:错 B:对 答 一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（ ） A:错 B:对 答案: 对 II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（ ） A:错 B:对 答 2021-10-28 13
A:对 B:错 答案: 错 在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（ ） A:错 B:对 答案: 对 A:对 B:错 答案: 错 在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（ ） A:错 B:对 答案: 对 2021-10-28 10
A:错 B:对 答案: 对 当表面能级低于半导体的费米能级，即为受主表面能能级时，从半导体内部俘获电子而带负电，内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。（ ） A:对 B:错 答案: 对 A:错 B:对 答案: 对 当表面能级低于半导体的费米能级，即为受主表面能能级时，从半导体内部俘获电子而带负电，内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。（ ） A:对 B:错 答案: 对 2021-10-28 13
电子导电材料中温度对载流子迁移率的影响为：低温下杂质离子对电子的散射起主要作用，高温下声子对电子的散射起主要作用。（ ） A:错 B:对 答案: 对金属的电导率随温度的升高而升高；无机非金属材料的电导率随温度的升高而降低。（ ） A:错 B 电子导电材料中温度对载流子迁移率的影响为：低温下杂质离子对电子的散射起主要作用，高温下声子对电子的散射起主要作用。（ ） A:错 B:对 答案: 对金属的电导率随温度的升高而升高；无机非金属材料的电导率随温度的升高而降低。（ ） A:错 B 2021-10-27 21
