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起止时间:2020-09-14到2021-01-22
更新状态:已完结
第1章晶体二极管 第1章单元测试
1、 当PN结外加正向电压时，扩散电流______漂移电流。
A:大于
B:等于
C:小于
D:以上均可能
答案: 大于
2、 N型半导体是在纯净半导体中掺入______。
A:三价元素，如硼
B:五价元素，如磷
C:带正电的离子
D:带负电的离子
答案: 五价元素，如磷
3、 PN结的反向饱和电流随温度升高而______。
A:增大
B:基本不变
C:减小
D:无规律变化
答案: 增大
4、 二极管的最高工作频率和什么参数有关？
A:最大正向电流
B:反向饱和电流
C:结电容
D:反向击穿电压
答案: 结电容
5、 理想二极管在正偏和反偏时，分别等效于：
A:短路，短路
B:短路，开路
C:开路，短路
D:开路，开路
答案: 短路，开路
6、 PN结具有电容特性，其中正偏时PN结电容以__电容为主，反偏时结电容以_电容为主。利用___电容可以制成变容二极管。
A:扩散 势垒 势垒
B:扩散 势垒 扩散
C:势垒 扩散 势垒
D:势垒 扩散 扩散
答案: 扩散 势垒 势垒
7、 稳压管电路如图所示，
的稳定电压
，限流电阻
，
，当
时，输出电压
和稳压管的稳定电流
的值分别为_和。
A:6.6V 0mA
B:6V 10mA
C:3V 0mA
D:6V 3.3mA
答案: 6V 10mA
8、 稳压管电路如图所示，的稳定电压，限流电阻，，当
时，输出电压和稳压管的稳定电流的值分别为_和。
A:6V 80mA
B:3.3V 0A
C:6V 66mA
D:0V 0mA
答案: 3.3V 0A
9、 P型半导体中的载流子有______。
A:自由电子、空穴
B:自由电子、空穴、正离子
C:自由电子、空穴、负离子
D:价电子、空穴
答案: 自由电子、空穴
10、 已知D1、D2是理想二极管，求输出电压Vo的值。
A:9V
B:8V
C:10V
D:4V
答案: 9V
11、 已知D1、D2是理想二极管，求输出电压Vo的值。
A:9V
B:8V
C:10V
D:4V
答案: 8V
12、 空穴电流是自由电子递补空穴产生的。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：空穴的运动是由于邻近共价键中的价电子填补空穴形成的，价电子填补空穴的定向运动形成空穴电流。
13、 N型半导体的多数载流子是自由电子。
A:正确
B:错误
答案: 正确
14、 温度升高时，本征半导体的导电能力几乎不变。
A:正确
B:错误
答案: 错误
15、 只要在二极管两端施加足够大的电压，二极管就会导通。
A:正确
B:错误
答案: 错误
16、 硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V，锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V。
A:正确
B:错误
答案: 正确
17、 N型半导体带负电，而P型半导体带正电。
A:正确
B:错误
答案: 错误
18、 半导体的导电方式区别于导体在于：前者具有______电流。
答案: 扩散
19、 稳压二极管工作在______区时，它两端的电压是稳定电压Vz。
答案: 击穿
20、 PN结两边掺杂浓度越高，阻挡层的宽度就越____。
答案: (以下答案任选其一都对)小;
窄
分析：小或窄
第2章 晶体三极管 第2章单元测试
1、 三极管饱和模式的偏置条件是______。
A:发射结正偏，集电结反偏
B:发射结正偏，集电结正偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D:发射结反偏，集电结反偏
答案: 发射结正偏，集电结正偏
2、 在交流通路中，大电容和大电感应分别作______处理。
A:短路和短路
B:短路和开路
C:开路和短路
D:开路和开路
答案: 短路和开路
3、 放大器的静态工作点设置过高，在输入电压信号较大的情况下，输出电压波形可能会首先产生______失真。
A:饱和失真
B:截止失真
C:线性失真
D:以上均有可能
答案: 饱和失真
4、 共E组态放大器的输入端和输出端分别是______。
A:B和C
B:C和B
C:B和E
D:E和B
答案: B和C
5、 晶体三极管放大模式对应的偏置条件是______。
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结正偏，集电结反偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D:发射结反偏，集电结反偏
答案: 发射结正偏，集电结反偏
6、 晶体三极管小信号模型中，体现
对
的控制作用的参数是______。
A:
B:
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