捎乖唇确播瑞会兽该厦兔纫闭
对应课程:点击查看
起止时间:2017-09-04到2018-01-31
更新状态:已完结
第三章 数字电路 第3章单元测试
1、 使用片内基本单元实现逻辑函数 y=a+b.c’ 需要使用多少个最小晶体管
A: 6
B: 10
C: 14
D:18
答案: 18
2、 若假设最小晶体管栅极电容导致的时间延迟为1，使用片内基本单元实现逻辑函数 y=a+b.c’ 时，当信号从c到y的传递延迟时间为
A:6
B:8
C:10
D:12
答案: 8
3、 下图逻辑单元实现的功能为
A: y=a.(b+c)’
B: y=(a.(b+c))’
C: y=a+b.c’
D: y=(a+b.c)’
答案: y=(a.(b+c))’
4、 下图逻辑单元实现的功能为
A: y=(a+b).(c+d)
B:y=(a.b+c.d)’
C: y=a.b+ c.d
D: y=((a+b).(c+d))’
答案: y=(a+b).(c+d)
5、 在5V电源条件下，若电平容限为0.5V，考虑对等性设计指标，采用开路门设计的反相器使用的最小晶体管数量为采用CMOS结构设计的多少倍
A: 0.5
B: 2
C: 5
D:10
答案: 5
6、 电路结构如图所示，该电路是 
A: INV
B: NAND2
C: BUFFER
D: OR2
答案: BUFFER
7、 电路结构如图所示，该电路是 
A:AND2
B:NAND2
C: BUFFER
D: NOR2
答案: NOR2
8、 下图逻辑单元实现的功能为
A: y=a+b+c
B: y=(a+b+c)’
C:y=a.b.c
D:y=(a.b.c)’
答案: y=(a.b.c)’
9、 下图逻辑单元实现的功能为
A:y=a.b+c
B: y=(a.b+c)’
C: y=a+b.c
D: y=(a+b.c)’
答案: y=(a.b+c)’
10、 下图逻辑单元实现的功能为
A: y=a.(b+c)
B:y=(a.(b+c))’
C: y=a+b.c’
D: y=(a+b.c)’
答案: y=a.(b+c)
11、 下图逻辑单元实现的功能为
A: y=(a+b).(c+d)
B: y=(a.b+c.d)’
C: y=a.b+ c.d
D:y=((a+b).(c+d))’
答案: y=((a+b).(c+d))’
12、 下图逻辑单元实现的功能为
A:y=(a+b).(c+d)
B: y=(a.c+b.d)’
C: y=a.b+ c.d
D: y=((a+c).(b+d))’
答案: y=(a.c+b.d)’
13、 当电源为5V时，若CMOS反相器的输入电压为2V，输出电压的可能值为
A:1V
B:2V
C:3V
D:4V
答案: 4V
14、 当电源为5V时，若CMOS反相器的输入电压为3V，输出电压的可能值为
A:1V
B:2V
C:3V
D:4V
答案: 1V
15、 当电源为5V时，若CMOS缓冲器的输入电压为2V，输出电压的可能值为
A:1V
B:2V
C:3V
D:4V
答案: 1V
16、 当电源为5V时，若CMOS缓冲器的输入电压为3V，输出电压的可能值为
A:1V
B:2V
C:3V
D:4V
答案: 4V
17、 若CMOS单元的设计指标为：输入高电平最小值 2.8V 输入低电平最大值 2.3V输出高电平最小值 3.9V 输出低电平最大值 0.7V则高电平噪声容限为
A: 0.5V
B:1.1V
C: 2.1V
D: 3.2V
答案: 1.1V
18、 若CMOS单元的设计指标为：输入高电平最小值 2.8V 输入低电平最大值 2.3V输出高电平最小值 3.9V 输出低电平最大值 0.7V则低电平噪声容限为
A:0.5V
B: 1.1V
C: 1.6V
D: 3.2V
答案: 1.6V
19、 设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，NMOS导通电阻为100，PMOS导通电阻为150，则高电平驱动能力为
A: 20
B: 14.7
C: 13.3
D: 22
答案: 13.3
20、 设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，NMOS导通电阻为100，PMOS导通电阻为150，则低电平驱动能力为
A: 20
B: 14.7
C: 13.3
D: 22
答案: 22
21、 设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，高电平驱动能力为8mA，低电平驱动能力为10mA，则NMOS导通电阻为
A: 220
B: 275
C: 200
D: 250
答案: 220
22、 设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，高电平驱动能力为8mA，低电平驱动能力为10mA，则PMOS导通电阻为
A: 220
B: 250
C: 270
D: 290
答案: 250
23、 对简单逻辑单元的集成通常称为
A:LSI
B: MSI
C: SSI
D: VLSI
如需购买完整答案，请点击下方红字：
获取更多中国大学慕课答案，请点击这里，进入mooc.mengmianren.com
捆剁码氨脾贤愤缴艘朗皋兔赌