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起止时间:2020-02-21到2020-07-10
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第4章 半控型器件 课前测试第3次课
1、 下列关于晶闸管的基本特性，说法正确的是（）
A:若要使已经导通的晶闸管关断，只能给晶闸管的阳极和阴极间施加反向关断电压。
B:晶闸管导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至维持电流以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。
C:当晶闸管的门极接受到触发信号后，晶闸管会瞬时导通。
D:在正向阻断恢复时间内，如果给晶闸管施加正向电压，如果没有门极驱动信号，晶闸管不会导通。
答案: 晶闸管导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至维持电流以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。
2、 与以普通晶闸管为主功率器件的电力电子变流装置相比，以GTO为主功率器件的电力电子变流装置具有如下优点：
A:电压、电流容量比普通晶闸管更大
B:主电路元件少，结构简单
C:不需强迫换流环节，损耗减少，装置效率高
D:易实现脉宽调制，可改善输出波形
答案: 主电路元件少，结构简单;
不需强迫换流环节，损耗减少，装置效率高;
易实现脉宽调制，可改善输出波形
3、 下列关于GTO的工作原理，说法正确的是（）
A:GTO的导通过程与普通晶闸管时一样的，有同样的正反馈过程，导通时饱和程度也相同。
B:GTO关断时其内部也形成了强烈的正反馈过程导致其退出饱和而关断。
C:GTO的开通过程比普通晶闸管更快。
D:GTO的门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，储存时间ts越长。
答案: GTO关断时其内部也形成了强烈的正反馈过程导致其退出饱和而关断。;
GTO的开通过程比普通晶闸管更快。
4、 晶闸管施加反向电压时，其伏安特性类似二极管的反向特性。
A:正确
B:错误
答案: 正确
5、 实际选用晶闸管时，实际电流波形的平均值应按照有效值相等发热相同的原则折合成通态平均电流选择晶闸管。
A:正确
B:错误
答案: 正确
6、 门极可关断晶闸管(GTO)是晶闸管的一种派生器件，因此，与晶闸管类似，也是一种半控型的器件。
A:正确
B:错误
答案: 错误
7、 GTO的开通时间指延迟时间与上升时间之和，GTO的关断时间指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。
A:正确
B:错误
答案: 正确
8、 快速晶闸管的关断时间约为数十微秒,甚至10微秒左右。
A:正确
B:错误
答案: 正确
9、 当逆导晶闸管承受反向电压时，会被击穿导通。
A:正确
B:错误
答案: 错误
10、 GTO的电流关断增益βoff一般只有5左右，很小，说明其关断能力强。
A:正确
B:错误
答案: 错误
11、 GTO的额定电流的规定与普通晶闸管相同。
A:正确
B:错误
答案: 错误
12、 GTO的额定电流的规定与普通晶闸管相同。
A:正确
B:错误
答案: 错误
13、 与普通晶闸管相比，GTO能够关断主要是因为采用了（）结构，但，也正是因为采用了这种结构，使得GTO更易失效。
答案: 多元集成
14、 对于门极可关断晶闸管来说，我们希望电流关断增益βoff越（）越好。（大？小？）
答案: 大
第5章 全控型器件 课前测试第4次课
1、 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )。
A:一次击穿
B:二次击穿
C:临界饱和
D:反向截止
答案: 二次击穿
2、 电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数。
A:正
B:负
C:正、负
D:负、正
答案: 正
3、 下列器件中，属于电流型器件的是（）
A:SCR
B:GTO
C:GTR
D:POWER MOSFET
答案: SCR;
GTO;
GTR
4、 GTR的共发射极接法时输出特性分为截止区、放大区和饱和区三个区域，在电力电子技术中，GTR能够工作的区域是（）
A:截止区
B:放大区
C:饱和区
D:
答案: 截止区;
放大区
5、 电力MOSFET是一种只有一种载流子参与单导的单极型电压控制的全控器件，分为结型和绝缘栅型两类，常说电力MOS管，指的是绝缘栅管。
A:正确
B:错误
答案: 正确
6、 电力MOS管栅源间绝缘层很薄，使用时｜UGS｜≤20V，否则导致绝缘层击穿损坏。
A:正确
B:错误
答案: 正确
7、 电力MOS管是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所以驱动功率小驱动电路简单。
A:正确
B:错误
答案: 正确
8、 GTR和GTO是双极结型电流驱动器件，存在电导调制效应，故其导通电阻小通流能力很强，但开关速度较低，驱动功率大驱动电路复杂。
A:正确
B:错误
答案: 正确
9、 电力晶体管GTR反映基极电流对集电极电流的控制能力的参数是（）（填写文字）
答案: 电流放大倍数
10、 用来标称GTO额定电流的参数为（）。（填写文字）
答案: 最大可关断阳极电流
第5章 全控型器件 课后补充测试第5次课
1、 IGBT是下列哪种器件组成的复合管（）。
A:SCR
B:GTO
C:GTR
D:MOS
答案: GTR;
MOS
2、 下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）
A:IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。
B:IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。
C:由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。
D:当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断。
答案: IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。;
IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。;
由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。;
当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断。
3、 IGBT输出特性分为正向阻断区、有源区和饱和区这三个区域，IGBT工作时，在（）和（）之间互相转换。
A:正向阻断区
B:有源区
C:饱和区
D:放大区
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