模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分

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起止时间:2020-02-18到2020-06-30
更新状态:已完结

第1周 第1章 半导体二极管及其基本电路 第1周单元测验

1、 1.在本征半导体中加入适量的 元素可以形成N型半导体。

A:二价
B:三价
C:四价
D:五价
答案: 五价

2、 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。

A:I型半导体
B:杂质浓度
C:杂质类型
D:温度
答案: 杂质浓度

3、 在常温下,硅二极管的开启电压约为 V。

A:0.7
B:0.1
C:0.5
D:0.2
答案: 0.5

4、 温度升高,二极管的反向特性曲线 。

A:左移
B:上移
C:右移
D:下移
答案: 下移

5、 用万用表的R×100Ω和R×1kΩ挡分别测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量结果是 。

A:R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值小
B:相同
C:R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值大
D:无法判断
答案: R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值小

6、 由理想二极管构成的电路如图所示,电压模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第1张模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第2张

A:-3V
B:0V
C:-12V
D:- 15V
答案: -12V

7、 如图所示电路中的二极管性能均为理想,电路中的电压模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第3张模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第4张

A:-3V
B:-15V
C:-12V
D:3V
答案: -15V

8、 两只稳压值分别为6V和9V的硅稳压管并联,可得到的稳压值是 。

A:6V,0.7V
B:9V,0.7V
C:6V,9V
D:0.7V,0.7V
答案: 6V,0.7V

9、 稳压管电路如图所示。两稳压管的稳压值均为6.3 V,正向导通电压为0.7V,其输出电压模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第5张为 。 模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第6张

A:1.4V
B:7V
C:0.7V
D:6.7V
答案: 7V

10、 稳压管稳压电路如图所示,其中模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第7张模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第8张,且具有理想特性。由此可知输出电压模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第9张为 。 模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第10张

A:0
B:6V
C:1V
D:7V
答案: 1V

11、 由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流通过。

A:正确
B:错误
答案: 错误

12、 PN结方程可以描述PN结的正、反向特性,也可以描述其反向击穿特性。

A:正确
B:错误
答案: 错误

13、 二极管的动态电阻模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第11张随静态工作点电流的增大而减小。

A:正确
B:错误
答案: 正确

14、 型号为2CW14的稳压管稳压值是在6~7.5V之间,说明该稳压管的稳压值是在6~7.5V之间可变。

A:正确
B:错误
答案: 错误

15、 发光二极管要正向偏置,光电二极管要反向偏置。

A:正确
B:错误
答案: 正确

第2周 第2章 双极型晶体管及其基本放大电路 第2周单元测验

1、 晶体管是一种 的器件。

A:电压控制电压
B:电压控制电流
C:电流控制电压
D:电流控制电流
答案: 电流控制电流

2、 工作在放大区的某晶体管,如果测得晶体管模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第12张模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第13张,而模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第14张模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第15张,则该管的交流电流放大系数为 。

A:80
B:60
C:75
D:100
答案: 60

3、 测得放大电路中的三极管管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V,说明该晶体管是 。

A:NPN锗管
B:PNP锗管
C:NPN硅管
D:PNP硅管
答案: PNP锗管

4、 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各电极对地电位如图所示,说明该晶体管的工作状态是 。 模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第16张

A:饱和
B:截止
C:放大
D:损坏
答案: 截止

5、 测得放大电路中晶体管各电极电位如图所示,该管的电极从左到右依次为 。 模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第17张

A:c、b、e
B:c、e、b
C:b、e、c
D:e、b、c
答案: e、b、c

6、 晶体管的模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第18张大,说明其 。

A:工作电流大
B:击穿电压高
C:寿命长
D:热稳定性差
答案: 热稳定性差

7、 某三极管的极限参数模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第19张模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第20张模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第21张若它的工作电压模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第22张,则工作电流模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第23张不得超过 mA。

A:150
B:100
C:50
D:5
答案: 100

8、 分析放大电路通常采用交直流分开分析的方法,这是因为 。

A:晶体管是非线性器件
B:电路中存在电容
C:电路中存在电阻
D:电路中既有直流量又有交流量
答案: 电路中既有直流量又有交流量

9、 基本共射放大电路的输出特性曲线和直流、交流负载线如图所示,由此可得出负载电阻的大小是 。 模拟电子技术基础(南昌理工学院) 中国大学慕课答案2024完整版100分第24张

A:1kΩ
B:2kΩ
C:3kΩ
D:4kΩ

       


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