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起止时间:2020-04-13到2020-06-30
更新状态:已完结
第2章 光电探测器理论基础 光电探测器理论基础自测
1、 被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（）
A:内光电效应
B:外光电效应
C:光生伏特效应
D:丹培效应
答案: 外光电效应
2、 半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
A:价带，导带
B:价带，禁带
C:禁带，导带
D:导带，价带
答案: 价带，导带
3、 一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为（）
A:3nV
B:4nV
C:5nV
D:6nV
答案: 4nV
4、 已知一束激光功率为30mW、波长为0.6328um，普朗克常数则该激光束的光子流速率N为（）
A:
个/秒
B:
个/秒
C:
个/秒
D:
个/秒
答案: 个/秒
5、 某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能
为（）
A:0.095J
B:0.095eV
C:
J
D:eV
答案: 0.095eV
6、 已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为
，
，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（）
A:甲厂灵敏度高
B:乙厂灵敏度高
C:甲乙两场灵敏度一样高
D:无法比较
答案: 乙厂灵敏度高
7、 光电发射材料
的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）
A:
B:
C:1.82J
D:1.83eV
答案: 1.83eV
8、 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）
A:0.886J
B:0.886eV
C:886J
D:886eV
答案: 0.886eV
9、 对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）
A:电子为多子
B:空穴为少子
C:能带图中施主能级靠近于导带底
D:能带图中受主能级靠近于价带顶
答案: 能带图中受主能级靠近于价带顶
10、 有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是（）
A:半导体对光的吸收主要是本征吸收
B:半导体对光的吸收主要是非本征吸收
C:产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值
D:产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值
答案: 半导体对光的吸收主要是本征吸收
11、 对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）
A:费米能级靠近导带底
B:空穴为多子
C:电子为少子
D:费米能级靠近靠近于价带顶
答案: 费米能级靠近导带底
12、 一束功率为30mW、波长为0.6328um的激光束的光子流速率N为（）
A:
个/秒
B:
个/秒
C:
个/秒
D:
个/秒
答案: 个/秒
13、 某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV，则产生光电效应的长波限（）
A:0.496um
B:0.496nm
C:0.248um
D:0.248um
答案: 0.496um
14、 某型号硅APD光敏面直径为0.5mm，等效噪声功率为
，电流灵敏度为77A/W，求该光电探测器的比探测率（）
A:
B:
C:
D:
答案:
15、 探测器的
，探测器光敏面积的直径为0.5cm，用于
的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为（）
A:
B:
C:
D:
答案:
16、 温度为300K时
的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电流为（）
A:
B:
C:
D:
答案:
17、 温度为300K时的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电压为（）
A:
B:
C:
D:
答案:
18、 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，该材料的禁带宽度为（）
A:0.886（eV）
B:8.86（eV）
C:88.6（eV）
D:
答案: 0.886（eV）
19、 光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值为（）
A:1.82（eV）
B:18.2（eV）
C:
D:0.182（eV）
答案: 1.82（eV）
20、 已知本征硅材料的禁带宽度
，半导体材料的本征吸收长波限为（）
A:1.216（um）
B:
C:1.03（um）
D:
答案: 1.216（um）
21、 温度为300K的本征硅半导体掺入
的砷原子，计算掺杂后硅半导体电子浓度为（）
A:
B:
C:
D:
答案:
22、 温度为300K的本征硅半导体掺入
的砷原子，计算掺杂后硅半导体空穴的浓度为（）
A:
B:
C:
D:
答案:
23、 温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为
，禁带宽度为1.12eV，计算掺入
硼原子后硅中电子浓度为（）
A:
B:
C:
D:
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