下面关于材料基本类型的分类正确的是( )。 A:电子材料能源材料和生物材料 B:金属材料陶瓷材料和先进材料 C:导体材料半导体材料和绝缘材料 D:金属材料陶瓷材料和聚合物材料 答案: 金属材料陶瓷材料和聚合物材料 刃型位错的滑移方向与位错线

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下面关于材料基本类型的分类正确的是( )。 A:电子材料能源材料和生物材料 B:金属材料陶瓷材料和先进材料 C:导体材料半导体材料和绝缘材料 D:金属材料陶瓷材料和聚合物材料 答案: 金属材料陶瓷材料和聚合物材料 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是( )。 A:垂直 B:平行 C:形成任意夹角 D:形成特定夹角 答案: 垂直 材料科学与工程学科主要研究研究材料的成分和结构制备和加工性质使用性能,以及它们之间关系。( ) A:错 B:对 答案: 对 能进行攀移的位错是( )。 A:螺型位错 B:刃型位错 C:所有类型的位错 D:混合位错 答案: 刃型位错

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下面关于材料基本类型的分类正确的是( )。 A:电子材料能源材料和生物材料 B:金属材料陶瓷材料和先进材料 C:导体材料半导体材料和绝缘材料 D:金属材料陶瓷材料和聚合物材料 答案: 金属材料陶瓷材料和聚合物材料 刃型位错的滑移方向与位错线第1张

下面关于材料基本类型的分类正确的是( )。 A:电子材料能源材料和生物材料 B:金属材料陶瓷材料和先进材料 C:导体材料半导体材料和绝缘材料 D:金属材料陶瓷材料和聚合物材料 答案: 金属材料陶瓷材料和聚合物材料 刃型位错的滑移方向与位错线第2张

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下面关于材料基本类型的分类正确的是( )。
A:电子材料能源材料和生物材料
B:金属材料陶瓷材料和先进材料
C:导体材料半导体材料和绝缘材料
D:金属材料陶瓷材料和聚合物材料
答案: 金属材料陶瓷材料和聚合物材料

材料科学与工程学科主要研究研究材料的成分和结构制备和加工性质使用性能,以及它们之间关系。( )
A:错
B:对
答案: 对

“晶体结构”属于( )。
A:聚集态结构
B:凝聚态结构
C:分子结构
答案: 聚集态结构

下列叙述错误的是( )。
A:离子键没有方向性具有饱和性
B:共价键既有方向性又有饱和性
C:离子键没有方向性没有饱和性
答案: 离子键没有方向性具有饱和性

下列按强度顺序排列正确的是( )。
A:离子键 > 氢键 > 范德华力
B:离子键 < 氢键 > 范德华力
C:离子键 > 氢键 < 范德华力
答案: 离子键 > 氢键 > 范德华力

金属晶体不包括( )。
A:高延展性
B:高离子导电性
C:具有光泽
答案: 高离子导电性

陶瓷材料中含有( )。
A:离子键
B:氢键
C:共价键
答案: 离子键
,共价键

CsCl晶体结构属于( )点阵。
A:体心立方
B:面心立方
C:简单立方
答案: 简单立方

立方晶体中只要(hkl)⊥[uvw],二者指数必然相等。( )
A:错
B:对
答案: 对

面心立方金属的配位数为( )。
A:10
B:12
C:14
D:8
答案: 12

玻璃中原子排列近程有序,远程无序。( )
A:对
B:错
答案: 对

聚合物不能形成晶体结构。( )
A:对
B:错
答案: 错

在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为( )。
A:弗兰克尔缺陷
B:线缺陷
C:层错
D:肖特基缺陷
答案: 弗兰克尔缺陷

刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是( )。
A:垂直
B:平行
C:形成任意夹角
D:形成特定夹角
答案: 垂直

能进行攀移的位错是( )。
A:螺型位错
B:刃型位错
C:所有类型的位错
D:混合位错
答案: 刃型位错

对称倾侧晶界上有( )组位错。
A:1
B:3
C:4
D:2
答案: 1

面心立方晶体中出现的孪晶面通常是( )。
A:{100}
B:{110}
C:{111}
D:{112}
答案: {111}

菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随( )变化。
A:距离
B:时间
C:温度
答案: 时间

下述有关自扩散的描述中正确的为( )。
A:自扩散系数由浓度梯度引起
B:自扩散又称为化学扩散
C:自扩散系数随温度升高而增加
答案: 自扩散系数随温度升高而增加

A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则( )。
A:组元B的扩散速率大于A组元
B:两组元A和B的扩散速率相同
C:组元A的扩散速率大于B组元
答案: 组元A的扩散速率大于B组元

在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为( )。
A:原子互换机制
B:间隙机制
C:空位机制
答案: 空位机制

原子扩散的驱动力是( )。
A:温度梯度
B:组元的浓度梯度
C:组元的化学势梯度
答案: 组元的化学势梯度



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