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试判断下图（a）（b）所示管子工作在什么区。（ ）A:非饱和区非饱和区 B:饱和区饱和区 C:饱和区非饱和区 D:非饱和区饱和区 答案: 饱和区非饱和区
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《电子线路基础》课程属于电子信息类相关本科专业重要的专业课，内容以介绍数字电子电路相关知识为主。
A:错
B:对
答案: 错
《电子线路基础》课程具有工程性基础性和实践性的特点。
A:错
B:对
答案: 对
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在
时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( )
A:
，
B:
，
C:
，
D:
，
答案:
，
已知锗PN结的反向饱和电流为10-8
。当外加电压
为0.2V0.36V及0.4V时，求室温下流过PN结的电流
为多少？ ( )
A:10.3mA48mA21.91μA
B:48mA21.91μA10.3mA
C:21.91μA10.3mA48mA
D:10.3mA21.91μA48mA
答案: 21.91μA10.3mA48mA
设二极管为理想的，试判断下图电路中，二极管是否导通，并求出
值。 ( )
A:截止，
B:截止，
C:导通，
D:导通，
答案: 导通，
如图所示电路， 已知二极管参数
，
，
，
，
，试求通过二极管的电流
。( )
A:（13.16+0.15sinωt）mA
B:（6.84+0.37sinωt）mA
C:（13.16+0.37sinωt）mA
D:（6.84+0.15sinωt）mA
答案: （13.16+0.37sinωt）mA
图（a）为三输入二极管或门电路，电源电压为-10V，二极管
，图（b）为输入波形，试画出输出波形图。( )
A:
B:
C:
D:
答案:
在NPN型晶体三极管中，发射结正偏，集电结反偏。已知
，
，
忽略不计。试求温室时
时
和
值。 （ ）
A:15.62mA，15.33mA，340μA
B:14.23mA，14.20mA，270mA
C:16.45mA，16.30mA，460μA
D:15.48mA，15.17mA，310μA
答案: 15.48mA，15.17mA，310μA
已知某晶体三极管在室温（27℃）下的
，当温度升高至 60℃ 时，试求
。 （ ）
A:9.75×10-8A
B:9.45×10-8A
C:9.85×10-8A
D:9.66×10-8A
答案: 9.85×10-8A
已知晶体三极管静态工作点电流
，
，求其参数
。（ ）
A:99.21 mS，1012Ω
B:96.25 mS，1039Ω
C:95.23 mS，1040Ω
D:98.62 mS，1023Ω
答案: 96.25 mS，1039Ω
如图所示电路图中，已知
。试求
。（ ）
A:0.32mA，16mA
B:0.34mA，17mA
C:0.36mA，18mA
D:0.38mA，20mA
答案: 0.34mA，17mA
在图(a)所示电路中，三只二极管参数相同，示于图(b)，晶体三极管参数为：导通电压
，
。若ABC三端口电压分别为5V4V3 V，求端口D的电压值。 （ ）
A:4V
B:3.5V
C:2.5V
D:3V
答案: 4V
试判断下图（a）（b）所示管子工作在什么区。（ ）
A:非饱和区非饱和区
B:饱和区饱和区
C:饱和区非饱和区
D:非饱和区饱和区
答案: 饱和区非饱和区
如图所示曲线为某场效应管的输出特性曲线，它是哪一种类型的场效应管？ （ ）
A:P沟道耗尽型
B:N沟道耗尽型
C:N沟道增强型
D:P沟道增强型
答案: P沟道耗尽型
已知
, 求ID。（ ）
图3-3
A:2.0mA
B:1.5mA
C:1.0mA
D:0.5mA
答案: 1.0mA
一个N沟道EMOSFET组成的电路如图3-4所示，要求场效应管工作于饱和区，
, 已知管子参数为
，设
，设计合理的电阻RS和RD的值。（ ）
A:
B:
C:
D:
答案:
在下图所示电路中，假设两管μnCox相同，
，
，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比（W/l）是T2管的5倍，且T2管工作于饱和区。试问流过电阻R的电流IR值。 （ ）
A:7mA
B:1mA
C:5mA
D:3mA
答案: 5mA
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