B:

下列几个说法中哪一个是正确的？

A:电场强度正比于检验电荷受到的力，反比与检验电荷的电荷量 

B:电场中某点场强的方向，就是将点电荷放在该点所受电场力的方向

C:

D:在以点电荷为中心的球面上，由该点电荷所产生的场强处处相同

答案:

设有一无限大均匀带正电荷的平面。取x轴垂直带电平面，坐标原点在带电平面上，则其周围空间各点的电场强度   

随距离平面的位置坐标x变化的关系曲线为(规定场强方向沿x轴正向为正反之为负)： 

A:

B:

C:

D:

答案:

在无限大均匀带电平面M的附近, 有一面积为S的平面N．要使通过N的电通量最小, 应使

A:N

N面的法线与M面的法线成45°夹角

B:N

N面的法线与M面的法线成30°夹角

C:N面与M面平行

D:N

N面与M面垂直

答案: N

N面与M面垂直

在任何静电场中, 任一闭合曲面上各点的电场强度是由

A:曲面内的电荷提供

B:曲面内的电荷和曲面外的电荷共同提供

C:电场强度的通量由曲面内的电荷和曲面外的电荷共同提供

D:曲面外的电荷提供

答案: 曲面内的电荷和曲面外的电荷共同提供

设无穷远处电势为零，则半径为R的均匀带电球体产生的电场的电势分布规律为(图中的φ₀和b皆为常量)： 

A:

B:

C:

D:

答案:

静电场的高斯定理表明静电场是                                             

A:无旋场
B:有源场
C:无源场
D:有旋场
答案: 有源场

静电场的环路定理表明静电场是

A:无旋场
B:无源场
C:有旋场
D:有源场
答案: 无旋场

为什么静电场中可以引入电势？

A:因为静电场是有旋场
B:因为静电场是无源场
C:因为静电场是有源场
D:因为静电场是保守场
答案: 因为静电场是保守场

若干根根电场线同时穿过三个大小不等的面SS2和S3．如果S1＞S2＞S3, 则它们的通量关系是

A:

B:

C:

D:

答案:

半径为R的均匀带电球面, 若其面电荷密度为 

    , 则在球面外距离球面R处的电势为（选择无限远处的电势为零）

A:

B:

C:

D:

答案:

导体处于静电平衡中，其满足的条件描述正确的是：

A:导体内部的场强处处为0
B:导体表面处电场强度和表面处处平行
C:导体内部的场强和电荷的分布有关
D:导体内靠近表面处场强方向和表面处处垂直
答案: 导体内部的场强处处为0

关于静电平衡中的导体，下列描述正确的是：

A:导体内部的电荷均匀分布
B:导体表面电荷处处为0
C:导体表面是等势面
D:导体表面的电势和曲率半径成反比
答案: 导体表面是等势面

如下图（图中表示的电荷等不一定正确），描述正确的是：

A:导体外边面没有电荷
B:导体外表面电荷和导体腔内的电荷大小相等，类型相同
C:导体腔内的电势和导体相等
D:导体不再是等势体，外表面电势为0，内部电势不为零
答案: 导体外边面没有电荷

关于静电场中的导体，描述正确的是：

A:在电场作用下，自由电子将重新排布

B:处于静电屏蔽中，外界的电场不影响导体的任何部分
C:在电场作用下，电子是固定不动的

D:在电场作用下，将产生感应电荷
答案: 在电场作用下，自由电子将重新排布
;在电场作用下，将产生感应电荷

关于介质中的高斯定理,下列描述正确的是：

A:引入电位移矢量没有任何意义
B:真空中的高斯定理不再适用
C:真空中的高斯定理依然可以使用
D:引入电位移矢量后只需要计算自由电荷即可

答案: 真空中的高斯定理依然可以使用;引入电位移矢量后只需要计算自由电荷即可

在孤立带电的导体板之间插入介质，导致的变化描述正确的是：

A:导体的电容减小了
B:在导体板之间以及插入的导体内部，电位移矢量的大小改变了2

C:导体板上的电量没有变化
D:介质内部和表面都不存在电荷

答案: 导体板上的电量没有变化

根据下图，选择从左到右各个力线表示的物理量：

A:DPE
B:EDP

C:PDE
D:EPD
答案: EDP

如图，介质进入电容器中，其经典能变化的描述正确的是：

A:无法判断
B:静电能减小
C:Q不变静电能守恒

D:外界作用，静电能增大
答案: 静电能减小

如图，电介质插入电容中，静电能的变化为：

A:静电能减小
B:静电能增加
C:无法判断
D:U不变，静电能不变

答案: 静电能增加

关于电容器的并联和串联，下列描述正确的是：

A:无法计算
B:和电阻的并联和串联的计算方法相同
C:是单独的规律，并联的电容不变，串联的电容增加
D:和电阻的并联和串联的计算方法相反
答案: 和电阻的并联和串联的计算方法相反