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PN结反向电流Is与温度有关。以下三种基本接法的电路中，具有电流跟随作用的是（ ）。单端输出的差分放大电路的共模输出电压为零。（ ）A:小于单级放大电路的带宽 B:等于单级放大电路的带宽。 C:大于单级放大电路的带宽。 答案: 小于单级放大电路的带宽A:对 B:错 答案: 对A:共射放大电路 B:共集放大电路 C:共基放大电路 答案: 共基放大电路A:对 B:错 答案: 错晶体管简化混合π模型中考虑了以下因素：
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对于PN结,设P区电位为UpN区点位为UN,说法正确的是： ( )。
A:Up>UN
B:Up C:Up≥UN
D:Up≤UN
答案: Up
关于PN结内电场的方向,说法正确的是:( )。
A:由N区指向P区
B:由P区指向N区
C:与外电场相同
D:与外电场相反
答案: 由N区指向P区
当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时,达到动态平衡,形成了一个稳定的空间区域:P区呈负电荷N区呈正电荷,该区的名称为：（ ） 。
A:空间电荷区
B:PN结
C:耗尽层
D:势垒
答案: 空间电荷区;PN结;耗尽层;势垒
PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
A:对
B:错
答案: 对
由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
A:对
B:错
答案: 错
当PN结外加正向电压时,扩散电流 ( ) 漂移电流。
A:大于
当PN结外加正向电压时,耗尽层 ( )。
当PN结加正向电压(正向偏置)时,
C:耗尽层变宽
D:耗尽层变窄
当PN结加正向电压(正向偏置)时,PN结内电场减小。
A:对
B:错
答案: 对
当PN结加反向电压(反向偏置)时,势垒电压减小。
A:对
B:错
答案: 错
常温下,温度电压当量UT的数值为:( )。
A:2.6uV
B:26mV
C:26V
D:260V
答案: 26mV
PN结反向电流Is的合理数值为:( )。
A:uA
B:mA
C:100mA
D:1A
答案: uA
当PN结加正向电压(正向偏置)时,随着电压增大,电流( ).
A:指数式上升
B:越来越快地上升
C:比例式上升
D:对数式上升
答案: 越来越快地上升
当PN结加反向电压(反向偏置),如果电压数值达到U(BR), 则PN结( ).
A:会被烧毁
B:反向电流很小
C:反向电流很大
D:产生电击穿
答案: 反向电流很大;产生电击穿
温度电压当量UT与温度PN结面积都有关。
A:对
B:错
答案: 错
PN结反向电流Is与温度有关。
A:对
B:错
答案: 对
PN结电流方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。
A:对
B:错
答案: 错
PN结正向偏置时的结电容( )反向偏置时的结电容:
A:大于
B:小于
C:等于
答案: 大于
势垒电容扩散电容与外加电压有关。
A:对
B:错
答案: 对
Multisim提供的虚拟仪器包括：
A:示波器
B:信号源
C:时频分析仪
D:万用表
答案: 示波器;信号源;万用表
只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
A:对
B:错
答案: 错
放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
A:对
B:错
答案: 错
电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
A:对
B:错
答案: 错
放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
A:对
B:错
答案: 对
由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
A:对
B:错
答案: 错
只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
A:对
B:错
答案: 错
为使晶体管工作在放大状态，应使其发射结正偏且导通，集电结反偏。
A:对
B:错
答案: 对
可以说任何的放大电路都有功率放大作用。
A:对
B:错
答案: 对
晶体管的交流等效模型仅适用于分析放大电路的动态参数。
A:对
B:错
答案: 对
放大电路的动态参数和静态工作点没有关系。
A:对
B:错
答案: 错
PNP管组成的单管共射放大电路，如果出现输出电压UO发生顶部失真，则为（ ）。
A:截止失真
B:饱和失真
C:截止失真和饱和失真都有可能
答案: 饱和失真
晶体管的直流等效模型（ ）。
A:仅适用于分析静态工作点
B:仅适用于分析动态参数
C:适用于分析放大电路的所有参数
答案: 仅适用于分析静态工作点
估算放大电路的静态工作点时，要（ ）。
A:用直流等效模型估算
B:用图解法估算
C:具体问题具体分析，选择适用的分析方法
答案: 具体问题具体分析，选择适用的分析方法
晶体管h参数等效模型的参数都是在Q点出求偏导数得到的，因此只适用于对（ ）的分析。
A:低频大信号
B:低频小信号
C:高频小信号
答案: 低频小信号
共集电极放大电路具有（ ）的作用。
A:电流跟随
B:电压跟随
C:电压跟随和电流跟随
答案: 电压跟随
放大电路的输出电阻和（ ）无关。
A:信号源内阻RS
B:负载电阻RL
C:集电极电阻RC
答案: 负载电阻RL
对于共基放大电路，以下说法错误的是（ ）。
A:共基放大电路输入电阻大，输出电阻小
B:共基放大电路输入电阻小，通频带宽
C:共基放大电路具有电流跟随的作用
答案: 共基放大电路输入电阻大，输出电阻小
T1和T2两只小功率管合理连接构成复合管，其电流放大系数分别为β1和β2（且β1和β2都足够大），则复合管的电流放大系数约为（ ）。
A:β1β2
B:β1+β2
C:2（β1+β2）
答案: β1β2
以下三种基本接法的电路中，具有电流跟随作用的是（ ）。
A:共射放大电路
B:共集放大电路
C:共基放大电路
答案: 共基放大电路
下面三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是（ ）。
A:共射放大电路
B:共集放大电路
C:共基放大电路
答案: 共射放大电路
对于实用的放大电路，一般要尽量满足如下要求（ ）。
A:信号要共地
B:直流电源种类尽可能少
C:尽量减少负载上的直流分量
答案: 信号要共地 ;直流电源种类尽可能少;尽量减少负载上的直流分量
对于共集放大电路，以下说正确的是（ ）。
A:共集放大电路又称为电压跟随器
B:共集放大电路又称为射极输出器
C:共集放大电路又称为电流跟随器
答案: 共集放大电路又称为电压跟随器;共集放大电路又称为射极输出器
对于共基放大电路，以下说法正确的是（ ）。
A:输出电压与输入电压同相
B:通频带宽，常用于无线电通信等方面
C:输入电阻小，输出电阻与共射电路相当
答案: 输出电压与输入电压同相;通频带宽，常用于无线电通信等方面;输入电阻小，输出电阻与共射电路相当
以下三种基本接法的单管放大电路中，电压放大倍数大于0（是正数）的有（ ）。
A:共射放大电路
B:共集放大电路
C:共基放大电路
答案: 共集放大电路 ;共基放大电路
集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。
A:便于设计
B:放大交流信号
C:不易制作大容量电容
D:以上均不是
答案: 不易制作大容量电容
集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ ）。
A:减小温漂
B:放大差模信号
C:抑制共模信号
D:A和C
答案: A和C
当两个输入信号是大小相等且极性相同的，将其称之为（ ）。
A:差模信号
B:共模信号
C:直流信号
D:交流信号
答案: 共模信号
差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（ ）。
差分放大电路的共模信号是两个输入端信号的（ ）。
A:差
B:和
C:平均值
D:以上均不是
答案: 平均值
具有恒流源的差分放大电路与长尾式差分放大电路相比，优势体现在（ ）。
A:静态工作点更稳定
B:放大差模信号能力越强
C:抑制共模信号能力越强
D:A和C
答案: A和C
为增加电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ ）。
A:共射放大电路
B:差分放大电路
C:共基放大电路
D:共集放大电路
答案: 共射放大电路
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。
· A电源电压波动
· B元器件参数老化
· C温度变化
· D放大倍数不够稳定
A:电源电压波动
B:元器件参数老化
C:温度变化
D:放大倍数不够稳定
答案: 电源电压波动;元器件参数老化;温度变化
集成运算放大器有几部分组成？（ ）
A:输入级
B:中间级
C:输出级
D:偏置电路
答案: 输入级;中间级;输出级;偏置电路
双入双出的长尾式差分放大电路可以抑制共模信号的能力主要体现在哪些方面？（ ）
A:电路参数对称
B:Re的负反馈作用
C:电源电压稳定
D:共射放大电路
答案: 电路参数对称;Re的负反馈作用
单端输出的差分放大电路输出电压包含哪几部分？（ ）
A:差模输出电压
B:共模输出电压
C:晶体管集电极静态电位
D:晶体管UCEQ值
答案: 差模输出电压;共模输出电压;晶体管集电极静态电位
集成运放的输出级采用互补输出级是为了（ ）。
A:电压放大倍数大
B:不失真输出电压大
C:输出电阻小
D:带负载能力强
答案: 不失真输出电压大;输出电阻小;带负载能力强
多级放大电路的电压放大倍数等于各级放大电路的电压放大倍数之积。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
集成运放输入级通常采用共射放大电路。( )
A:对
B:错
答案: 错
温度变化引起晶体管参数发生变化可以等效为共模信号。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
双入双出差分放大电路的差模电压放大倍数约为单级共射放大电路的2倍。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
单端输出的差分放大电路的共模输出电压为零。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
长尾式差分放大电路中的Re值越大，对共模信号的抑制能力越强，因此Re的值越大越好。 （ ）
A:对
B:错
答案: 错
对于加调零电位器的改进型差分放大电路而言，调零电位器的阻值越大越好。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
互补输出级电路采用相同类型的晶体管构成。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 ( )。
A:输入电压幅值不变，改变频率
B:输入电压频率不变，改变幅值
C:输入电压的幅值与频率同时变化
答案: 输入电压幅值不变，改变频率
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是：（ ）
A:耦合电容和旁路电容的存在
B:半导体管的非线性特性
C:半导体管极间电容和分布电容的存在
D:放大电路的静态工作点不合适
答案: 半导体管极间电容和分布电容的存在
放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ ）。
A:耦合电容和旁路电容的存在
B:半导体管的非线性特性
C:半导体管极间电容和分布电容的存在
D:放大电路的静态工作点不合适
答案: 耦合电容和旁路电容的存在
已知某电路电压放大倍数如下所示，则其中频增益为
A:20dB
B:40dB
C:10
D:100
答案: 40dB;100
已知某电路电压放大倍数如下所示，则其下边界频率为10Hz。
A:对
B:错
答案: 对
已知某电路由两级相同的放大电路组成，其中单级放大电路的下边界频率为100Hz，则该电路的下边界频率大于100Hz。
A:对
B:错
答案: 对
当信号频率等于放大电路的fL或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 ( )。
A:0.5
B:0.7
C:0.9
D:0.6
答案: 0.7
当信号频率等于放大电路的fL或fH时，增益比中频时下降的分贝数为 ( )。
A:3
B:4
C:6
D:9
答案: 3
对于单管共射放大电路，当f=fL时，Uo与Ui相位关系是( )。
A:+ 45度
B:-90度
C:-135度
D:-180度
答案: -135度
对于单管共射放大电路，当f =fH 时，Uo与Ui相位关系是 ( )。
A:− 45度
B:− 135度
C:− 180度
D:− 225度
答案: − 225度
在如图所示电路中，若Ce突然开路，则中频电压放大倍数Ausm？
A:增大
B:减小
C:基本不变
答案: 减小
在如图所示电路中，若Ce突然开路，则下边界频率fL：
A:增大
B:减小
C:基本不变
答案: 减小
在如图所示电路中，若Ce突然开路，则上边界频率fH会增大。
A:对
B:错
答案: 对
利用Multisim分析电路的频率响应时，可采用的虚拟仪器或分析方法有：
A:波特图仪
B:交流分析
C:万用表
D:瞬态分析
答案: 波特图仪;交流分析
利用Multisim波特图仪分析电路的频率响应时，必须在信号输入端连接：
A:信号源
B:交流电源
C:直流电源
D:白噪声信号发生器
答案: 交流电源
某电路由多级放大电路级联而成，则总电路的下边界频率：
A:小于或等于各级放大电路最小的下边界频率值
B:大于或等于各级放大电路最小的下边界频率值。
C:小于或等于各级放大电路最大的下边界频率值。
D:大于或等于各级放大电路最大的下边界频率值。
答案: 大于或等于各级放大电路最大的下边界频率值。
某电路由多级放大电路级联而成，则总电路的上边界频率：
A:小于或等于各级放大电路最小的上边界频率值。
B:大于或等于各级放大电路最小的上边界频率值。
C:小于或等于各级放大电路最大的上边界频率值
D:大于或等于各级放大电路最大的上边界频率值
答案: 小于或等于各级放大电路最小的上边界频率值。
某电路由两级放大电路级联而成，则总电路的带宽：
A:小于单级放大电路的带宽
B:等于单级放大电路的带宽。
C:大于单级放大电路的带宽。
答案: 小于单级放大电路的带宽
晶体管简化混合π模型中考虑了以下因素：
A:晶体管的发射结电容。
B:晶体管的集电结电容
C:晶体管的发射结电阻
D:晶体管的集电结电阻
答案: 晶体管的发射结电容。;晶体管的集电结电容;晶体管的发射结电阻
晶体管参数一定电路结构一定，通过改变其他电路参数提高电路放大倍数时，必然导致带宽的降低。
A:对
B:错
答案: 对
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