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见面课:半导体器件制程工艺
1、MBE只能用于III-V族化合物的生长。
A:对
B:错
答案: 错
2、提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
A:对
B:错
答案: 对
3、在CMOS工艺中,最为昂贵的步骤是: ( )
A:腐蚀
B:离子注入
C:光刻
D:CVD
答案: 光刻
4、光刻技术中的反刻工艺,通常应用于( )的情况。
A:对光刻精度较高
B:光刻图案密度较高
C:光刻的材料易于腐蚀
D:光刻的材料难以腐蚀
答案: 光刻的材料难以腐蚀
见面课:半导体器件及材料表征技术
1、通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。
A:对
B:错
答案: 对
2、TEM观测与SEM相同,对样品厚度没有要求。
A:对
B:错
答案: 错
3、AFM通常用来观测样品表面形貌。
A:对
B:错
答案: 对
4、XPS只能检测元素种类,无法标定元素含量。
A:对
B:错
答案: 错
见面课:半导体器件基本结构
1、异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的
A:对
B:错
答案: 对
2、光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小
A:对
B:错
答案: 错
3、MOS管是一种电流型半导体器件,BJT是一种电压型半导体器件
A:对
B:错
答案: 错
4、所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
A:对
B:错
答案: 错
5、平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的
A:对
B:错
答案: 对
6、一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__达到了14nm量级
A:栅极长度
B:漏极宽度
C:栅极宽度
D:以上都不是
答案: 栅极宽度
7、当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时,其_的pn结上的电压方向是反向偏置的
A:集电极到发射极
B:集电极到基极
C:基极到发射极
D:以上都不是
答案: 集电极到基极
8、MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制 _ 极和 __极之间的导电沟道的通断
A:栅、源、漏
B:漏、源、栅
C:源、漏、栅
D:以上都不是
答案: 栅、源、漏
9、金属和n型半导体接触,如果fmfs,会形成 肖特基 接触;其中 接触具有整流效应。
A:肖特基、欧姆、欧姆
B:欧姆、肖特基、肖特基
C:欧姆、肖特基、欧姆
D:肖特基、欧姆、肖特基
答案: 欧姆、肖特基、肖特基
见面课:半导体物理基本概念
1、AlAs的禁带宽度比GaAs大,晶格常数也更大。保存
A:对
B:错
答案: 错
2、半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法
A:对
B:错
答案: 错
3、PMOS的基底是p型半导体,所以叫PMOS。
A:对
B:错
答案: 错
4、半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。
A:对
B:错
答案: 对
5、硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。
A:对
B:错
答案: 错
6、GaAs晶体是_结构
A:金刚石
B:闪锌矿
C:体心
D:面心
答案: 闪锌矿
7、有A和B两种单质晶体,我们知道A的晶格常数是5Å,带隙是1.2eV,B的晶格常数是4Å,其带隙有可能是_____eV
A:1.4
B:1.0
C:1.2
D:以上都不可能
答案: 1.4
8、如下图所示的能带结构,代表的是___半导体________ EC―――――――― EF ________ EV
A:n型
B:p型
C:本征
D:以上都不是
答案: n型
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1
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