少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固

苦婪塑垢捌搽顽夺洼荚挫椿镶

剂龟尽翠鼻碑救目霞钮乔导伶

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固溶体 答案: 可以形成连续固溶体

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少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第1张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第2张

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晶体的定义是内部质点在三维空间内重复排列的固体。( )
A:对
B:错
答案: 错

晶体结构中,在同一取向上( )相同的点。
A:几何环境
B:物质环境
C:化学环境
D:空间环境
答案: 几何环境
,物质环境

晶体结构中所有点对称要素有( )。
A:对称面
B:对称中心
C:对称轴
D:旋转反伸轴
答案: 对称面
,对称中心
,对称轴
,旋转反伸轴

法国学者A.布拉菲根据晶体结构的最高点群和平移群对称及空间格子的平行六面体原则,将所有晶体结构的空间点阵划分成__种类型的空间格子。( )
A:16
B:14
C:13
D:12
答案: 14

表示晶胞的形状和大小的有( )个参数。
A:6
B:8
C:3
D:9
答案: 6

一个四方晶系的晶面,其上的截距分别为3a4b6c,求该晶面的晶面指数( )
A:(346)
B:(432)
C:(643)
D:(234)
答案: (432)

晶体的基本性质有哪些?( )
A:自限性
B:对称性
C:最小内能和最大稳定性
D:均一性和异向性
答案: 自限性
,对称性
,最小内能和最大稳定性
,均一性和异向性

晶体共有__种点群和__种空间群。( )
A:16 240
B:16 230
C:32 230
D:16 250
答案: 32 230

在等轴晶系中,(110)和(111)面之间的几何关系为__。( )
A:无法判断
B:相交
C:平行
D:垂直
答案: 相交

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第4张

判断图中是哪种对称要素( )
A:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第7张

B:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第9张

C:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第11张

D:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第13张

答案: 少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第7张

配位体:晶体结构中与某一个阳离子形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。( )
A:错
B:对
答案: 错

同一化学组成在不同外界条件下(温度压力pH值等),结晶成为两种以上不同结构晶体的现象称为( )
A:多晶转变
B:类质同晶
C:同质多晶
D:类质同象
答案: 同质多晶

配位场理论认为:认为在晶体结构中,中心阳离子与配位体之间是离子键,不存在电子轨道的重迭,并将配位体作为点电荷来处理的理论。( )
A:错
B:对
答案: 错

MgO(NaCl型)晶体(111)晶面的面排列密度为__。( )
A:0.907
B:0.906
C:0.908
D:0.909
答案: 0.907

MgO(NaCl型)晶体(110)晶面的面排列密度为__。( )
A:0.557
B:0.556
C:0.555
D:0.558
答案: 0.555

MgO(NaCl型)晶体(100)晶面的面排列密度为__。( )
A:0.784
B:0.783
C:0.785
D:0.782
答案: 0.785

等径球体六方紧密堆积的六方晶胞的轴比c/a≈__。( )
A:1.631
B:1.634
C:1.633
D:1.632
答案: 1.633

n个等径球体作六方紧密堆积,其空间占有率为__。( )
A:25.95%
B:25.07%
C:74.05%
D:74.03%
答案: 74.05%

面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量分别为_,_。( )
A:1,1
B:2,1
C:1,2
D:2,2
答案: 1,2

临界半径比的定义是:紧密堆积的阴离子恰好互相接触,并与中心的阳离子也恰好接触的条件下,阳离子半径与阴离子半径之比。即每种配位体的阳阴离子半径比的下限。下列配位的临界半径比最大的是__。( )
A:三角体配位
B:八面体配位
C:立方体配位
D:四面体配位
答案: 立方体配位

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第18张

的晶体结构类型为( )
A:钙钛矿型
B:萤石型
C:闪锌矿型
D:反萤石型
答案: 萤石型

2n个等径球体作六方紧密堆积,其空间占有率为( )
A:74.03%
B:25.95%
C:25.07%
D:74.05%
答案: 74.05%

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第20张

分布在八面体空隙而少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第22张

一半分布于四面体空隙另一半分布于八面体空隙,通式为少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第24张

,称为正尖晶石。( )
A:对
B:错
答案: 错

在氧离子面心立方密堆积结构中,对于获得稳定结构各需何种价离子,填满所有的八面体空隙需要( )
A:4价阳离子
B:2价阳离子
C:1价阳离子
D:3价阳离子
答案: 2价阳离子

硅酸盐矿物按照硅氧四面体的连接方式进行分类可以分为( )种。
A:5
B:2
C:4
D:3
答案: 5

阳离子交换是高价阳离子取代低价阳离子。( )
A:错
B:对
答案: 错

在透辉石少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第27张

晶体结构中,少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第30张

与阳离子少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第33张

配位型式有( )种。
A:3
B:2
C:4
D:5
答案: 3

在透辉石少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第27张

晶体结构中,少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第30张

与阳离子少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第33张

配位不满足鲍林静电价规则的原因在于少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第44张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第46张

两种离子( )
A:离子半径不同
B:配位氧离子不同
C:离子结构不同
D:配位数不同
答案: 离子半径不同
,配位氧离子不同
,配位数不同

每个NaCl晶胞中,分子数Z=( )
A:4
B:2
C:5
D:3
答案: 4

以下物质中具有NaCl型结构的是( )
A:ZnO
B:MnO
C:BeO
D:MgO
答案: MnO
,MgO

如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。( )
A:错
B:对
答案: 错

滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。( )
A:对
B:错
答案: 对

在MX晶体中,间隙原子的表示符号为( )
A:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第48张

B:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第51张

C:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第53张

D:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第55张

答案: 少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第51张

在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,且MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势( )
A:杂质缺陷
B:相等
C:热缺陷
D:无法计算
答案: 杂质缺陷

对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol,计算该晶体在1000K时的缺陷浓度( )
A:6.2×10-3
B:6.1×10-3
C:6.3×10-3
D:6.4×10-3
答案: 6.4×10-3

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第61张

中,添加0.01mol%的少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第63张

,生成淡红宝石的缺陷类型是( )
A:置换式的空位点缺陷
B:间隙式杂质原子点缺陷
C:间隙式的空位点缺陷
D:置换式杂质原子点缺陷
答案: 置换式杂质原子点缺陷

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第61张

中,添加0.5mol%的少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第68张

,生成黄宝石的缺陷浓度是( )
A:0.3%
B:0.2%
C:0.25%
D:0.35%
答案: 0.25%

非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质压力大小相关,如果增大周围氧气的分压,非化学计量化合物少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第70张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第72张

的密度将分别发生怎样变化( )
A:增大,减小
B:减小,减小
C:增大,增大
D:减小,增大
答案: 减小,减小

非化学计量化合物少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第74张

中,少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第76张

 =0.1,求少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第78张

中x值( )
A:0.958
B:0.956
C:0.955
D:0.957
答案: 0.956

以下缺陷中,能引起位置增殖的缺陷有( )
A:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第81张

B:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第84张

C:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第86张

D:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第88张

答案: 少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第81张

,少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第84张

在固溶体中不同组分的结构基元之间是以分子尺度相互混合的,这种混合并不破坏原有晶体的结构。( )
A:错
B:对
答案: 错

溶质与溶剂两种晶体可以以任意比例无限制的固溶生成的固溶体为无限固溶体。( )
A:对
B:错
答案: 对

置换型固溶体产生的“组分缺陷”与热缺陷是相同的。( )
A:对
B:错
答案: 错

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( )
A:错
B:对
答案: 错

MgO-NiO之间,少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第96张

=0.072nm,少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第98张

=0.070nm,则它们( )
A:可以形成连续固溶体
B:不能确定
C:可以形成有限置换型固溶体
D:不能形成固溶体
答案: 可以形成连续固溶体

以下哪一项不是影响置换型固溶体中溶质离子溶解度的因素( )
A:离子电价
B:溶剂与溶质中的离子比例
C:离子尺寸
D:晶体结构
答案: 溶剂与溶质中的离子比例

固溶体的相组成是__,化合物的相组成为__,机械混合物的相组成为__( )
A:单相均匀单相两相有界面
B:均匀单相单相两相有界面
C:均匀单相均匀单相两相有界面
D:均匀单相两相有界面单相
答案: 均匀单相单相两相有界面

少量MgO掺杂到少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第100张

中其缺陷方程可以为( )
A:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第103张

B:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第106张

C:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第108张

D:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第110张

答案: 少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第103张

,少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第106张

杂质原子进入溶剂中晶格_什么位置生成的是间隙型固溶体,溶质离子__溶剂中的一些溶剂离子所形成的固溶体称之为置换型固溶体。( )
A:节点置换
B:置换间隙
C:置换节点
D:间隙置换
答案: 间隙置换

以下哪几种是常见的间隙性固溶体?( )
A:阴离子填隙
B:电子填隙
C:原子填隙
D:阳离子填隙
答案: 阴离子填隙
,原子填隙
,阳离子填隙

晶体熔融后才能形成熔体,非晶体不能形成熔体。( )
A:对
B:错
答案: 错

熔体的内部存在着近程有序的区域。( )
A:错
B:对
答案: 对

关于熔体的描述,下列说法正确的是( )
A:熔融少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第118张

中,链状少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第120张

断裂称为熔融石英的分化过程
B:R-O键强比Si-O键强强,因此可以使桥氧断裂
C:分化缩聚平衡时,熔体中全部为少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第122张

单体
D:分化过程中的低聚合物可通过缩聚形成级次较高的聚合物
答案: 分化过程中的低聚合物可通过缩聚形成级次较高的聚合物

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第124张

硅酸盐熔体中聚合物分布与温度的关系如图所示,可以看出( )
A:温度高时硅酸盐熔体低聚物更易不断碰撞形成高聚物
B:温度高时更有利于硅酸盐熔体的分化解聚
C:低聚物浓度随温度的升高而降低
D:低聚物浓度随温度的升高而升高
答案: 温度高时更有利于硅酸盐熔体的分化解聚
,低聚物浓度随温度的升高而升高

下列对于玻璃熔体的特定黏度温度的描述中,正确的是( )
A:玻璃在应变点温度退火时可以除去应力
B:自流动点开始玻璃可以拉丝
C:在软化点时玻璃可以成型
D:退火点是消除玻璃中应力的上限温度
答案: 退火点是消除玻璃中应力的上限温度

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第126张

含量较高时,对黏度起主要作用的是少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第128张

四面体之间的键力,金属氧化物__对熔体黏度的降低作用最大。( )
A:不能比较
B:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第130张

C:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第132张

D:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第135张

答案: 少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第135张

下列关于黏度-组成的关系的说法中,正确的是( )
A:CaO对熔体黏度的影响随温度以及含量不同而变化
B:硼反常导致黏度下降的主要原因是部分少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第140张

变成少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第142张

C:二价金属离子在无碱以及含碱玻璃熔体中的表现相同
D:少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第144张

中的氟离子进入少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第146张

晶格间隙,致使硅氧网络被破坏,黏度降低
答案: CaO对熔体黏度的影响随温度以及含量不同而变化

以下哪些为玻璃的通性?( )
A:物理化学性质变化的连续性
B:介稳性
C:各向同性
D:熔融态向玻璃态转化的可逆与渐变性
答案: 物理化学性质变化的连续性
,介稳性
,各向同性
,熔融态向玻璃态转化的可逆与渐变性

在玻璃形成的过程中( )
A:玻璃网络形成体的单键强度大于350kJ/mol
B:中间体既不能形成玻璃也不能改变玻璃的性质
C:单键强度小于250kJ/mol的氧化物可以改变玻璃的性质
D:纯粹的共价键化合物一般都可以形成玻璃
答案: 玻璃网络形成体的单键强度大于350kJ/mol
,单键强度小于250kJ/mol的氧化物可以改变玻璃的性质

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第3张

少量杂质原子进入晶体不会对晶体的性质产生什么影响。( ) A:错 B:对 答案: 错MgO-NiO之间, =0.072nm, =0.070nm,则它们( ) A:可以形成连续固溶体 B:不能确定 C:可以形成有限置换型固溶体 D:不能形成固第148张

玻璃(摩尔分数),则其基本结构参数为( )
A:X=0.86,Y=3.14 ,Z=3 ,R= 2.43
B:X=0.78 ,Y=3.22 ,Z=4 ,R=2.39
C:X=0.78 ,Y=3.22 ,Z=3 ,R= 2.39
D:X=0.86 ,Y=3.14 ,Z=4 ,R=2.43
答案: X=0.86 ,Y=3.14 ,Z=4 ,R=2.43



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