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起止时间:2020-03-04到2020-07-19
更新状态:已完结
第1章 电力电子器件 第1次测试（绪论与第1章）
1、 什么是电力电子技术？
A:用于电力领域的电子技术，即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
B:用于电力领域和信息领域的电子技术的总称。
C:用于电气领域和信息领域的电子技术的总称。
D:电力电子技术的简称就是电子技术。
答案: 用于电力领域的电子技术，即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
2、 电力变换通常包括哪几类？
A:AC/DC和DC/AC两大类。
B:AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。
C:AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
D:DC/AC、DC/DC、AC/AC三大类。
答案: AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。
3、 对电力电子器件描述正确的是：
A:电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
B:电力电子器件是电子器件的总称。
C:电力电子器件可用于电子系统中，实现电能的变换或控制的器件。
D:电力电子器件不能直接用于主电路中，只是实现电能的变换或控制的电子器件。
E:电力电子器件可直接用于电路中，实现电子控制技术。
答案: 电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
4、 电力电子器件同处理信息的电子器件相比，下面描述正确的是：
A:电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。
B:能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。
C:电力电子器件一般都工作在开通状态。
D:电力电子器件一般都工作在关断状态。
答案: 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。
5、 下面对电力二极管描述正确的是哪个？
A:电力二极管正向导通后，其正向压降为0V。
B:电力二极管加反向电压就会被击穿。
C:电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。
D:电力二极管加正向电压后其正向压降为0.7V。
答案: 电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。
6、 电力二极管的额定电流指的是：
A:允许流过最大电流的平均值。
B:允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
C:允许流过最大方波电流的平均值。
D:允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
答案: 允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
7、 如下对晶闸管的半导体结构描述正确的是：
A:晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B:晶闸管具有PN或NP这两层半导体结构。
C:晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。
D:晶闸管具有PNPN四层半导体结构。
答案: 晶闸管具有PNPN四层半导体结构。
8、 如下所述，晶闸管是如何导通的：
A:在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压，只要门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
B:在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
C:在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
D:在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极也加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
答案: 在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
9、 如下所述，晶闸管门极的控制作用，表述正确的是：
A:晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
B:晶闸管导通后，门极一旦无电流，则晶闸管就立即关断。
C:晶闸管导通后，门极一旦加反向电压，则晶闸管就立即关断。
D:晶闸管导通后，门极与阴极短路，则晶闸管就立即关断。
答案: 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
10、 已经导通的晶闸管是如何关断的？
A:要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到1A以下。
B:要使晶闸管关断，只能在晶闸管两端加反向电压。
C:要使晶闸管关断，只能要求晶闸管门极电流等于0。
D:要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。
答案: 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。
11、 如下所述，晶闸管正向特性表述正确的是：
A:随着门极电流幅值的不断增大，正向转折电压随之增大。
B:只要门极电流幅值大于1mA，晶闸管承受正向电压时就导通。
C:随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。
D:随着门极电流幅值的增大，正向转折电压随之上升。
答案: 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。
12、 如下所述，晶闸管反向特性表述正确的是：
A:晶闸管加反向电压时，只要门极电流幅值较大，则晶闸管反向导通。
B:反向特性类似于二极管的反向特性。
C:晶闸管加反向电压时，只要门极也加反向电压，则晶闸管反向导通。
D:晶闸管不允许加反向电压，如果加反向电压，立刻击穿。
答案: 反向特性类似于二极管的反向特性。
13、 如下所述，晶闸管开通与关断表述正确的是：
A:晶闸管开通与关断过程都是即时完成的。
B:晶闸管关断是即时完成的，开通需要一定时间的。
C:晶闸管开通是即时完成的，关断需要一定时间的。
D:晶闸管开通与关断都需要一定时间。
答案: 晶闸管开通与关断都需要一定时间。
14、 对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个？
A:允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
B:允许流过最大方波电流的平均值。
C:允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
D:允许流过最大电流的平均值。
答案: 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
15、 如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：
A:门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
B:门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C:门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D:门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。
答案: 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
16、 如下所述，GTO能够通过门极关断吗？
A:GTO能够（或可以）通过门极关断。
B:只要门极关断功率足够大，GTO和SCR都能够通过门极关断。
C:GTO不能够通过门极关断。
D:GTO能够通过门极关断，但门极与阴极间不能加反向电压。
答案: GTO能够（或可以）通过门极关断。
17、 如下所述，GTR典型输出特性分为：
A:典型输出特性分为三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B:典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C:典型输出特性分为三个区：截止区、线性区和非饱和区。
D:典型输出特性分为三个区：截止区、非线性区和饱和区。
答案: 典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
18、 有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：
A:虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B:GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C:GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
D:GTR的安全工作区是矩形的。
答案: GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
19、 电力MOSFET导通表述正确的是：
A:当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间存在导电沟道。
B:当栅极电压小于零时，N沟道增强型的电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C:当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间不能导通。
D:当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
答案: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
20、 MOSFET的输出特性分为：
A:MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B:MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C:MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。
D:MOSFET的输出特性分为三个区：截止区、非饱和区以及放大区。
答案: MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。
21、 有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是哪个？
A:MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
B:MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
C:MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。
D:MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
答案: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
22、 如下关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：
A:MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B:MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C:MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。
D:MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
答案: MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
23、 关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：
A:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。
B:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快。
C:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大。
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健屉拦破悉薪拳返眯胸癸滇鹿