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第一章 单元测试
1、 以下关于电力电子技术说法错误的是（ ）。
A:电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术
B:电力电子技术是应用于电力领域的电子技术
C:电子技术包括模拟电子技术和电力电子技术两大分支
D:电力电子技术变换的电力，可以小到毫瓦级
答案: 电子技术包括模拟电子技术和电力电子技术两大分支
2、 以下不属于电力变换的是（ ）。
A:整流
B:逆变
C:变压器变压
D:变频
答案: 变压器变压
3、 以下不属于电力电子器件发展方向的是（ ）。
A:更大的通电流能力
B:更高的开关频率
C:耐受更高的电压值
D:不受控的自主通断能力
答案: 不受控的自主通断能力
4、 以下事件是标志着电力电子技术诞生的是（ ）。
A:1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管
B:1947年美国著名的贝尔实验室发明了晶体管
C:1904年电子管的出现
D:1986年IGBT投入市场
答案: 1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管
5、 以下关于电力电子电路特性说法错误的是（ ）。
A:在一个输出电压周期中令电力电子器件多次改变通断状态，可以降低谐波的频率
B:在电路输出、输入端附加LC滤波器，可以改善输出电压和输入电流波形
C:开关电路输出端电压不可能是理想的、连续无脉动的直流，或无畸变的正弦基波交流
D:通常采用开关周期平均值和傅里叶级数，分析它的工作特性
答案: 在一个输出电压周期中令电力电子器件多次改变通断状态，可以降低谐波的频率
6、 以下应用领域使用了电力电子技术的有（ ）。
A:家用变频空调
B:核聚变反应堆使用脉冲电源
C:无功补偿与谐波治理
D:柔性交流输电
答案: 家用变频空调
,核聚变反应堆使用脉冲电源
,无功补偿与谐波治理
,柔性交流输电
7、 以下关于电力电子电路特性说法正确的有（ ）。
A:串联电感对高频交流谐波呈现低阻抗，对直流和基波电流阻抗大
B:对于逆变电路，在输入端接入LC低通滤波器，可使输入接近平稳的直流
C:并联电容对髙频谐波呈现高阻抗，对直流和低频呈现低阻抗
D:对于逆变电路，若基波交流电压可损失较少地送至负载，负载端电压近似正弦波
答案: 对于逆变电路，在输入端接入LC低通滤波器，可使输入接近平稳的直流
,对于逆变电路，若基波交流电压可损失较少地送至负载，负载端电压近似正弦波
8、 以下是构成电力电子技术交叉特征的理论技术包括（ ）。
A:控制理论
B:材料科学
C:电力技术
D:电子技术
答案: 控制理论
,电力技术
,电子技术
9、 电力电子技术分为电力电子器件控制和电力变换两个分支。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
10、 为了使电力变换电路基本特性简明清晰，通常忽略一些次要因素，采用一些近似方法进行分析和计算。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
第二章 单元测试
1、 以下关于电力电子器件说法错误的是（ ）。
A:电力电子器件阻断时阻抗很大，接近于断路
B:电力电子器件一般都工作在开关状态
C:电力电子器件不需要信息电子电路进行控制
D:电力电子器件导通时阻抗很小，接近于短路
答案: 电力电子器件不需要信息电子电路进行控制
2、 以下关于电力电子器件损耗说法正确的是（ ）。
A:电力电子器件功率损耗一般远大于信息电子器件
B:电力电子器件阻断时的损耗大于开通时的损耗
C:电力电子器件损耗由通态电流和通态管压降决定
D:电力电子器件有散热设计，工作时不需加散热器
答案: 电力电子器件功率损耗一般远大于信息电子器件
3、 以下关于PN结工作原理说法正确的是（ ）。
A:外加正向电压时，多子的漂移运动大于少子的扩散运动
B:外加反向电压时，外加电场与PN结自建电场方向相反
C:外加反向电压时，PN结表现为高阻态
D:外加正向电压时，空间电荷区变宽
答案: 外加反向电压时，PN结表现为高阻态
4、 以下关于电力二极管特性说法正确的有（ ）。
A:电力二极管由零偏置转换为正向偏置时正向压降会出现一个过冲
B:当电力二极管承受正向电压大于零时，正向电流开始明显增加
C:电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时并不能立即关断
D:电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时会有反向电压过冲现象
答案: 电力二极管由零偏置转换为正向偏置时正向压降会出现一个过冲
,电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时并不能立即关断
,电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时会有反向电压过冲现象
5、 电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为（ ）。
A:势垒区
B:电场区
C:耗尽层
D:阻挡层
答案: 势垒区
,耗尽层
,阻挡层
6、 当电力二极管用在频率较高场合时，分析其发热原因，开关损耗往往不能忽略。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
7、 以下关于晶闸管引脚与内部结构说法错误的是（ ）。
A:门极在PNPN四层结构中的N1区引出
B:阳极在PNPN四层结构中的P1区引出
C:阴极在PNPN四层结构中的N2区引出
D:PNPN四层结构共形成了3个PN结
答案: 门极在PNPN四层结构中的N1区引出
8、 以下关于晶闸管门极作用说法错误的是（ ）。
A:为了保障触发稳定，注入的门极电流必须导通电流接近
B:当阳极电压上升率较高时，晶闸管不通过门极注入电流也可能导通
C:晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用
D:产生注入门极的触发电流的电路称为门极触发电路
答案: 为了保障触发稳定，注入的门极电流必须导通电流接近
9、 以下关于电力二极管动态特性说法正确的是（ ）。
A:关断时，反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程
B:关断时，反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压
C:关断时，阳极电流的衰减不是瞬时的
D:开通时，阳极电流的增长不是瞬时的
答案: 关断时，反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程
,关断时，反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压
,关断时，阳极电流的衰减不是瞬时的
,开通时，阳极电流的增长不是瞬时的
10、 以下关于电力二极管参数说法正确的是（ ）。
A:规定断态重复峰值电压为断态不重复峰值电压的90%
B:反向不重复峰值电压应高于反向击穿电压
C:规定反向重复峰值电压为反向不重复峰值电压的90%
D:通常取晶闸管的断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的标值，作为该器件的额定电压
答案: 规定断态重复峰值电压为断态不重复峰值电压的90%
,规定反向重复峰值电压为反向不重复峰值电压的90%
,通常取晶闸管的断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的标值，作为该器件的额定电压
11、 晶闸管开通时间等于阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。（ ）
A:错
B:对
答案: 错
12、 晶闸管的擎住电流是指是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。（ ）
A:错
B:对
答案: 错
13、 以下关于电力MOSFET说法错误的是（ ）。
A:它是用栅极电压来控制漏极电流的，所需驱动功率小
B:它开关速度快、工作频率高、热稳定性好
C:它电流容量大，耐压高，多用于功率不超过10kW的电力电子装置
D:它是一种全控型器件
答案: 它电流容量大，耐压高，多用于功率不超过10kW的电力电子装置
14、 以下关于电力MOSFET导电沟道说法错误的是（ ）。
A:当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的，称为耗尽型
B:在电力MOSFET中，N沟道增强型器件较多
C:对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型
D:可分为P沟道和N沟道
答案: 对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型
15、 以下关于IGBT说法错误的是（ ）。
A:IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构
B:IGBT工作在开关状态，是在正向阻断区和饱和区之间来回转换
C:IGBT开关速度高于电力MOSFET
D:IGBT与电力MOSFET一样，是一种场控器件
答案: IGBT开关速度高于电力MOSFET
16、 以下关于电力MOSFET说法正确的是（ ）。
A:电力MOSFET在导通时，只有一种极性的载流子参与导电
B:目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构
C:电力MOSFET在导通时，内部无法形成电导调制效应
D:电力MOSFET驱动功率不随开关频率的变化而变化
答案: 电力MOSFET在导通时，只有一种极性的载流子参与导电
,目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构
17、 以下关于IGBT说法正确的是（ ）。
A:相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优
B:IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
C:相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短
D:IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件
答案: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优
,IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
18、 静电感应晶体管SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，常被称为正常导通型器件。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
19、 宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
20、 IGBT模块是指将多个IGBT封装在一个模块中，达到缩小装置体积，降低成本，提高可靠性等目的。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
第三章 单元测试
1、 以下不属于直流用电设备的是（ ）。
A:电镀
B:电解电源
C:同步发电机励磁
D:变压器
答案: 变压器
2、 以下不属于整流电路按组成器件进行分类的是（ ）。
A:全控
B:半控
C:斩控
D:不可控
答案: 斩控
3、 单相半波可控整流电路电阻负载，变压器二次侧有效值U2=220V，触发角α=45°，则直流输出Ud为（ ）。
A:92.4V
B:84.5V
C:74.3V
D:99.0V
答案: 84.5V
4、 负载中的电感对电流变化有什么作用（ ）。
A:放大
B:累积
C:反向
D:抗拒
答案: 抗拒
5、 单相半波可控整流电路阻感负载加续流二极管后，流过晶闸管的电流平均值为（ ）。
A:
B:
C:
D:
答案:
6、 以下关于单相半波可控整流电路阻感负载下，负载阻抗角、触发角与导通角关系说法正确的是（ ）。
A:负载阻抗角为定值时，导通角不会随触发角变化而变化
B:负载阻抗角为定值时，触发角越大，导通角越小
C:触发角为定值时，导通角不会随负载阻抗角变化而变化
D:触发角为定值时，负载阻抗角越大，导通角越大
答案: 负载阻抗角为定值时，触发角越大，导通角越小
,触发角为定值时，负载阻抗角越大，导通角越大
7、 以下关于单相半波可控整流电路阻感负载加续流二极管说法正确的是（ ）。
A:加续流二极管后，输出直流电压平均值高于不加续流二极管时
B:若电路中电感足够大，续流二极管可持续导通，直至晶闸管再次导通
C:续流二极管承受的最大反向电压值等于变压器二次侧的有效值
D:加续流二极管后，当u2过零变负时，输出电压ud为零
答案: 加续流二极管后，输出直流电压平均值高于不加续流二极管时
,若电路中电感足够大，续流二极管可持续导通，直至晶闸管再次导通
,加续流二极管后，当u2过零变负时，输出电压ud为零
8、 单相半波可控整流电路阻感负载加续流二极管后，变压器铁心直流磁化问题将得到缓解。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
9、 单相桥式全控整流电路带电阻负载时，单个晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别是（ ）。
A:
B:
C:
D:
答案:
10、 单相桥式全控整流电路带电阻负载时，控制角移相范围为（ ）。
A:0~90°
B:0~270°
C:0~360°
D:0~180°
答案: 0~180°
11、 单相桥式全控整流电路电阻负载，变压器二次侧有效值U2=220V，触发角α=45°，则直流输出Ud为（ ）。
A:148.5V
B:169.0V
C:198.0V
D:184.7V
答案: 169.0V
12、 单相桥式全控整流电路阻感负载电感很大，变压器二次侧有效值U2=220V，触发角α=45°，则直流输出Ud为（ ）。
A:99.0V
B:140.0V
C:169.0V
D:171.5V
答案: 140.0V
13、 单相桥式全控整流电路阻感负载电感很大，当触发角α=45°，则导通角θ为（ ）。
A:90°
B:180°
C:135°
D:225°
答案: 180°
14、 单相桥式全控整流电路反电动势阻感负载，电感很大，U2=200V，R=2Ω，E=60V，α=30°，整流输出平均电流Id为（ ）。
A:24A
B:18A
C:9A
D:48A
答案: 48A
15、 以下关于在单相桥式全控整流电路反电动势负载主电路中加平波电抗器说法正确的是（ ）。
A:延长了晶闸管导通时间
B:当负载为直流电动机时，能避免电动机机械特性变软
C:可以减小电流的脉动
D:能提升整流输出电压平均值
答案: 延长了晶闸管导通时间
,当负载为直流电动机时，能避免电动机机械特性变软
,可以减小电流的脉动
16、 单相半波可控整流电路带直流电动机负载时，若电流断续将有利于直流电动机运行。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
17、 在三相半波可控整流电路中的自然换相点各相晶闸管触发导通的最早时刻，对应触发角α为（ ）。
A:0°
B:90°
C:30°
D:60°
答案: 0°
18、 三相半波可控整流电路带电阻负载，输出电流临界连续和断续对应触发角α为（ ）。
A:0°
B:60°
C:90°
D:30°
答案: 30°
19、 三相半波可控整流电路带电阻负载，U2=200V，α=60°整流输出电压平均值为（ ）。
A:135.0V
B:67.5V
C:117.0V
D:202.6V
答案: 135.0V
20、 三相半波可控整流电路带阻感负载电感足够大，U2=200V，α=60°整流输出电压平均值为（ ）。
A:135.0V
B:117.0V
C:67.5V
D:202.6V
答案: 117.0V
21、 三相桥式全控整流电路带电阻负载，U2=200V，α=90°整流输出电压平均值为（ ）。
A:0.0V
B:234.0V
C:31.4V
D:62.7V
答案: 62.7V
22、 三相桥式全控整流电路带阻感负载电感足够大，U2=200V，α=90°整流输出电压平均值为（ ）。
A:62.7V
B:0.0V
C:31.4V
D:234.0V
答案: 0.0V
23、 电容滤波的单相不可控整流电路中，U2=150V，二极管承受的反向电压最大值约为（ ）。
A:135.0V
B:212.1V
C:180.0V
D:106.1V
答案: 212.1V
24、 以下关于电容滤波的单相不可控整流电路说法正确的是（ ）。
A:空载时，输出电压值达到最大，约1.2倍的交流电源电压有效值
B:重载时，输出电压趋近于0.9倍的交流电源电压有效值
C:在半波内，二极管导通时，交流电源向电容充电，同时向负载供电
D:在半波内，二极管未导通时，由电容向负载供电，同时输出电压下降
答案: 重载时，输出电压趋近于0.9倍的交流电源电压有效值
,在半波内，二极管导通时，交流电源向电容充电，同时向负载供电
,在半波内，二极管未导通时，由电容向负载供电，同时输出电压下降
25、 以下关于无功功率说法正确的是（ ）。
A:无功功率增加，会导致设备和线路的损耗增加
B:无功功率是因电力电子电路设计不当产生的，因此可以避免
C:冲击性无功功率会引起电压剧烈波动
D:无功功率会导致电流增大和视在功率增加，导致设备容量增加
答案: 无功功率增加，会导致设备和线路的损耗增加
,冲击性无功功率会引起电压剧烈波动
,无功功率会导致电流增大和视在功率增加，导致设备容量增加
26、 以下关于谐波说法正确的是（ ）。
A:谐波不会干扰邻近的通信系统
B:谐波会导致电机发生机械振动、噪声和过热等现象
C:大量的三次谐波流过中性线会使线路过热甚至发生火灾
D:谐波会引起电网中局部并联谐振和串联谐振，从而使谐波衰减
答案: 谐波会导致电机发生机械振动、噪声和过热等现象
,大量的三次谐波流过中性线会使线路过热甚至发生火灾
27、 非正弦电路电流的谐波与基波之间的关系，以下说法正确的是（ ）。
A:谐波频率与基波频率的比值，为谐波次数的倒数
B:谐波幅值与基波幅值的比值，即为谐波次数
C:谐波幅值与基波幅值的比值，为谐波次数的倒数
D:谐波频率与基波频率的比值，只能是奇数
答案: 谐波幅值与基波幅值的比值，为谐波次数的倒数
28、 单相桥式全控整流电路带阻感负载且电感足够大，当控制角α=50°时，电路功率因数约为（ ）。
A:0.643
B:0.614
C:0.514
D:0.579
答案: 0.579
29、 三相桥式全控整流电路带阻感负载且电感足够大，当控制角α=50°时，电路功率因数约为（ ）。
A:0.643
B:0.514
C:0.579
D:0.614
答案: 0.614
30、 以下关于整流输出电压和电流的谐波分析，说法正确的有（ ）。
A:整流电路输出各次谐波幅值与控制角α有关
B:整流电路输出电压的谐波对于负载工作是不利的
C:整流电路输出电压是周期性非正弦函数，主要成分是直流，同时包含各种频率的谐波
D:整流电路脉波数越大，最低次谐波次数越大，且幅值迅速减小
答案: 整流电路输出各次谐波幅值与控制角α有关
,整流电路输出电压的谐波对于负载工作是不利的
,整流电路输出电压是周期性非正弦函数，主要成分是直流，同时包含各种频率的谐波
,整流电路脉波数越大，最低次谐波次数越大，且幅值迅速减小
第四章 单元测试
1、 采用晶闸管的单相桥式电流型并联谐振式逆变电路中，晶闸管的换流方式为（ ）。
A:负载换流
B:电网换流
C:器件换流
D:强迫换流
答案: 负载换流
2、 无源逆变电路中，以下半导体器件采用器件换流的有（ ）。
A:GTO
B:IGBT
C:SCR
D:MOSFET
答案: GTO
,IGBT
,MOSFET
3、 无源逆变电路中，以下半导体器件采用强迫换流和负载换流的有（ ）。
A:GTO
B:MOSFET
C:SCR
D:IGBT
答案: SCR
4、 采用晶闸管的无源逆变电路能够采用的换流方式有（ ）。
A:强迫换流
B:电网换流
C:负载换流
D:器件换流
答案: 强迫换流
,电网换流
,负载换流
5、 以下哪些方式属于自然换流（ ）。
A:器件换流
B:电网换流
C:强迫换流
D:负载换流
答案: 器件换流
,强迫换流
6、 以下哪些方式属于外部换流（ ）。
A:器件换流
B:负载换流
C:强迫换流
D:电网换流
答案: 负载换流
,电网换流
7、 电网换流不需要器件具有门极可关断能力，也不需要为换流附加元件。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
8、 满足负载电压的相位超前于负载电流的场合，都可以实现负载换流。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
9、 单相半桥电压型逆变电路有几个导电臂（ ）。
A:4
B:1
C:2
D:3
答案: 2
10、 单相半桥电压型逆变电路的直流侧接有两个相互串联的（ ）。
A:容量足够小的电容
B:大电感
C:容量足够大的电容
D:小电感
答案: 容量足够大的电容
11、 单相全桥电压型逆变电路的输出负载电压，可采用的调节方法有（ ）。
A:调节直流侧电流
B:采用移相调压
C:调节直流侧电压
D:调节电路工作频率
答案: 采用移相调压
,调节直流侧电压
12、 电压型逆变电路采用（ ）。
A:电容来缓冲有功能量的
B:电感来缓冲无功能量的
C:电容来缓冲无功能量的
D:电感来缓冲有功能量的
答案: 电容来缓冲无功能量的
13、 电压型逆变电路的输出电压波形为（ ）。
A:矩形波
B:正弦波
C:与负载性质有关
D:三角波
答案: 矩形波
14、 电压型逆变电路的特点有（ ）。
A:交流侧电流因负载阻抗不同而不同
B:直流侧电压无脉动
C:直流侧接大电感
D:直流侧电流有脉动
答案: 交流侧电流因负载阻抗不同而不同
,直流侧电压无脉动
,直流侧电流有脉动
15、 三相电压型桥式逆变电路，各相开始导电的角度依次相差（ ）。
A:120°
B:30°
C:180°
D:60°
答案: 120°
16、 在电压型逆变电路中，用大电感来缓冲无功能量。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
17、 单相半桥电压型逆变电路的输出电压为正弦波。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
18、 单相半桥电压型逆变电路使用器件少，但输出交流电压幅值仅为输入电压的二分之一。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
19、 三相电压型桥式逆变电路，每次换流都是在同一相上下两个桥臂之间进行，因此也称为纵向换流。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
20、 电流型逆变电路的特点有（ ）。
A:直流侧电流基波无脉动
B:逆变桥各臂都反并联了二极管
C:直流侧串大电感
D:交流输出电流为矩形波
答案: 直流侧电流基波无脉动
,直流侧串大电感
,交流输出电流为矩形波
21、 以下关于单相电流型逆变电路的说法中，正确的是（ ）。
A:负载电路对基波呈现高阻抗
B:电容C和L、R构成并联谐振电路
C:负载略呈容性
D:交流输出电流为矩形波
答案: 负载电路对基波呈现高阻抗
,电容C和L、R构成并联谐振电路
,负载略呈容性
,交流输出电流为矩形波
22、 电流型逆变电路，交流侧电流波形为（ ）。
A:三角波
B:矩形波
C:与负载性质有关
D:正弦波
答案: 矩形波
23、 以下关于电流型三相桥式逆变电路的说法中，正确的是（ ）。
A:输出交流电流波形和负载性质无关
B:电路的基本工作方式是120°导电方式
C:VT1到VT6顺序间隔60°依次导通
D:换流方式是横向换流
答案: 输出交流电流波形和负载性质无关
,电路的基本工作方式是120°导电方式
,VT1到VT6顺序间隔60°依次导通
,换流方式是横向换流
24、 串联二极管式晶闸管三相电流型逆变电路采用强迫换流方式。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
25、 单相桥式电流型逆变电路中为了保证晶闸管可靠关断，反压时间必须大于晶闸管的关断时间。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
26、 单相电压型二重逆变电路，为了消除其中的3次谐波，可以把两个单相逆变电路导通的相位错开（ ）。
A:30°
B:60°
C:120°
D:180°
答案: 60°
27、 用多重逆变电路或多电平逆变电路，可以改善逆变电路的输出波形，使它更接近正弦波。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
28、 电压型逆变电路和电流型逆变电路都可以实现多重化。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
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