改变衬底电势可能会产生体效应。 二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比，增益AV越大，最大输出电压Voutmax越小 D: C: 答案: 二极管连接的管作负载的共源极电路的小信号增益只与有关与偏置电流无关 点我阅读全文
Analog-to-Digital Converter tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定增大NMOS器件的宽长比W/LC:B:B:答案: 减小器件的漏极电流; 增大电阻上的电压; 增大器件的宽长比当足够负时, 截止 点我阅读全文
Ambulance to Digital Converter L是器件的沟道长度，W是器件的宽度 图中的被偏置在饱和区，则电路的小信号电压增益，说明使用电流源作负载可提高增益。 D: C: C: A:错 B:对 答案: 对 当时，小信号增 点我阅读全文
体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。 源极跟随器的 关于差分信号和差分放大电路的说法正确的是（） 答案: 源电压相对于衬底电势发生改变使得源衬电势差不为就会产生体效应; 改变衬底电势可能会产生体 点我阅读全文
当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失 源极跟随器一般只用来驱动小电容(或高阻)负载，不宜用来驱动低阻大电容负载 差分放大电路对任意输入信号的响应包含差模响应和共模响应两部分 B: D: C: 点我阅读全文
MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器带隙基准设计 相对于共源级电路来说，源极跟随器增益很大，输出阻抗很高 如果输入信号和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信号。 C: 答案: 点我阅读全文
MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器带隙基准设计 相对于共源级电路来说，源极跟随器增益很大，输出阻抗很高 如果输入信号和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信号。 C: 答案: 点我阅读全文
亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 下列关于共栅放大器的说法正确的有（） 任意输入信号Vin1和Vin2的差模分量是正负 D: A: 答案: 任意输入信号和的共模分量是二者的平均值; 差分放大电路对任意输入信号 点我阅读全文
MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当 时，仍有存在 常同共源级联合构成共源共栅放大器，用于高速运放的差分输入放大级 实际差分放大电路由于工艺误差存在而非理想，因此必然会出现共模响应 答案: 当时 点我阅读全文
MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当 时，仍有存在 常同共源级联合构成共源共栅放大器，用于高速运放的差分输入放大级 实际差分放大电路由于工艺误差存在而非理想，因此必然会出现共模响应 答案: 当时 点我阅读全文
MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当 时，仍有存在 常同共源级联合构成共源共栅放大器，用于高速运放的差分输入放大级 实际差分放大电路由于工艺误差存在而非理想，因此必然会出现共模响应 答案: 当时 点我阅读全文
下列关于MOS模型的说法正确的有（） 输入阻抗与有关，有阻抗变换特性 差分放大电路的电阻失配或者差分对管失配，都会引起共模分量到差模响应的转化，因而抑制共模噪声能力减弱。 A: C: A:对 B:错 答案: 对 点我阅读全文
MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立 输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源 VGA是一种可变增益放大器 C: 答案: 常同共源级联合构成共源共栅放大器用于高速运放的差分输入放大级; 输入阻抗与有关 点我阅读全文
当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算 三个电路的输出阻抗相同 共源共栅差分放大器的增益更大，但输出共模电平难以确定 答案: 器件的低频小信号模型主要考虑了跨导体效应以及沟道调制效应等参数; 器件 点我阅读全文
System of computerB:以电阻为负载的共源极电路的小信号增益的表达式有（）理想差分只放大输入信号的差模部分，不放大共模部分D:在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压A:A:对 B:错 答案: 对 点我阅读全文
C:当 时，且 时，NMOS器件工作在深线性区对于以电阻为负载以一个NMOS器件为主放大管的共源极电路，增大其小信号增益的措施有（）Cargo Machine Of SemiconductorC:A:答案: 点我阅读全文