关于共源共栅电路下列说法正确的有（） A:共源共栅结构具有高输出阻抗特性 B:共源共栅电流源可近似代替理想恒流源 C:共源共栅结构具有高输出摆幅 D:共源共栅结构具有屏蔽特性 答案: 共源共栅结构具有高输出阻抗特性;共源共栅电流源可近似代替 点我阅读全文
下列关于MOS模型的说法正确的有（） 输入阻抗与有关，有阻抗变换特性 差分放大电路的电阻失配或者差分对管失配，都会引起共模分量到差模响应的转化，因而抑制共模噪声能力减弱。 A: C: A:对 B:错 答案: 对 点我阅读全文
MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立 输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源 VGA是一种可变增益放大器 C: 答案: 常同共源级联合构成共源共栅放大器用于高速运放的差分输入放大级; 输入阻抗与有关 点我阅读全文
当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算 三个电路的输出阻抗相同 共源共栅差分放大器的增益更大，但输出共模电平难以确定 答案: 器件的低频小信号模型主要考虑了跨导体效应以及沟道调制效应等参数; 器件 点我阅读全文
下列关于源极跟随器的说法正确的有（） A:源极跟随器的AV≤1 B:源极跟随器一般只用来驱动小电容(或高阻)负载，不宜用来驱动低阻大电容负载 C:源极跟随器可用来构成电平位移电路 D:相对于共源级电路来说，源极跟随器增益很大，输出阻抗很高。 点我阅读全文
下列说法正确的是（） A:所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接，起到小信号电阻的作用 B:MOS管二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区 C:二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信 点我阅读全文
下列说法正确的是（） A:所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接，起到小信号电阻的作用 B:MOS管二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区 C:二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信 点我阅读全文
System of computerB:以电阻为负载的共源极电路的小信号增益的表达式有（）理想差分只放大输入信号的差模部分，不放大共模部分D:在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压A:A:对 B:错 答案: 对 点我阅读全文
C:当 时，且 时，NMOS器件工作在深线性区对于以电阻为负载以一个NMOS器件为主放大管的共源极电路，增大其小信号增益的措施有（）Cargo Machine Of SemiconductorC:A:答案: 点我阅读全文
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）A:亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 B:MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器带隙基准设计 C:MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH， 点我阅读全文
下列关于MOS模型的说法正确的有（）A:MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立 B:当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算 C:MOS器件的低频小信号模型，主要考 点我阅读全文
下列关于小信号的说法，正确的是（）A:小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记 B:若小信号变化幅度过大，则会影响直流偏置点，需用大信号分析 C:假定某MOS器件的栅源过驱动电压VGS – VTH = 0.5V，则|vgs(t)|可视为小信号 点我阅读全文