改变衬底电势可能会产生体效应。 二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比，增益AV越大，最大输出电压Voutmax越小 D: C: 答案: 二极管连接的管作负载的共源极电路的小信号增益只与有关与偏置电流无关 点我阅读全文
Analog-to-Digital Converter tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定增大NMOS器件的宽长比W/LC:B:B:答案: 减小器件的漏极电流; 增大电阻上的电压; 增大器件的宽长比当足够负时, 截止 点我阅读全文
Ambulance to Digital Converter L是器件的沟道长度，W是器件的宽度 图中的被偏置在饱和区，则电路的小信号电压增益，说明使用电流源作负载可提高增益。 D: C: C: A:错 B:对 答案: 对 当时，小信号增 点我阅读全文
体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。 源极跟随器的 关于差分信号和差分放大电路的说法正确的是（） 答案: 源电压相对于衬底电势发生改变使得源衬电势差不为就会产生体效应; 改变衬底电势可能会产生体 点我阅读全文
当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失 源极跟随器一般只用来驱动小电容(或高阻)负载，不宜用来驱动低阻大电容负载 差分放大电路对任意输入信号的响应包含差模响应和共模响应两部分 B: D: C: 点我阅读全文
MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器带隙基准设计 相对于共源级电路来说，源极跟随器增益很大，输出阻抗很高 如果输入信号和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信号。 C: 答案: 点我阅读全文
MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器带隙基准设计 相对于共源级电路来说，源极跟随器增益很大，输出阻抗很高 如果输入信号和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信号。 C: 答案: 点我阅读全文
亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 下列关于共栅放大器的说法正确的有（） 任意输入信号Vin1和Vin2的差模分量是正负 D: A: 答案: 任意输入信号和的共模分量是二者的平均值; 差分放大电路对任意输入信号 点我阅读全文
下列关于共栅放大器的说法正确的有（） A:输入阻抗与RD有关，有阻抗变换特性 B:输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源 C:其增益与共源级放大电路增益相同 D:常同CS联合构成CS—CG放大器，用于高速运放的差分输入放大级 答案: 点我阅读全文
下列关于共栅放大器的说法正确的有（） A:输入阻抗与RD有关，有阻抗变换特性 B:输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源 C:其增益与共源级放大电路增益相同 D:常同CS联合构成CS—CG放大器，用于高速运放的差分输入放大级 答案: 点我阅读全文
MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当 时，仍有存在 常同共源级联合构成共源共栅放大器，用于高速运放的差分输入放大级 实际差分放大电路由于工艺误差存在而非理想，因此必然会出现共模响应 答案: 当时 点我阅读全文
MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当 时，仍有存在 常同共源级联合构成共源共栅放大器，用于高速运放的差分输入放大级 实际差分放大电路由于工艺误差存在而非理想，因此必然会出现共模响应 答案: 当时 点我阅读全文
MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当 时，仍有存在 常同共源级联合构成共源共栅放大器，用于高速运放的差分输入放大级 实际差分放大电路由于工艺误差存在而非理想，因此必然会出现共模响应 答案: 当时 点我阅读全文
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大器件的宽长比W/L，可以增大电路的小信号增益AV ，但MOS管寄生电容相应增加，电路的高频响应会变差，其3dB转折频率点会下降A:对 B:错 答案: 对 点我阅读全文
关于共源共栅电路下列说法正确的有（） A:共源共栅结构具有高输出阻抗特性 B:共源共栅电流源可近似代替理想恒流源 C:共源共栅结构具有高输出摆幅 D:共源共栅结构具有屏蔽特性 答案: 共源共栅结构具有高输出阻抗特性;共源共栅电流源可近似代替 点我阅读全文