下列关于共栅放大器的说法正确的有（） A:输入阻抗与RD有关，有阻抗变换特性 B:输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源 C:其增益与共源级放大电路增益相同 D:常同CS联合构成CS—CG放大器，用于高速运放的差分输入放大级 答案: 点我阅读全文
下列关于共栅放大器的说法正确的有（） A:输入阻抗与RD有关，有阻抗变换特性 B:输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源 C:其增益与共源级放大电路增益相同 D:常同CS联合构成CS—CG放大器，用于高速运放的差分输入放大级 答案: 点我阅读全文
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大器件的宽长比W/L，可以增大电路的小信号增益AV ，但MOS管寄生电容相应增加，电路的高频响应会变差，其3dB转折频率点会下降A:对 B:错 答案: 对 点我阅读全文
关于共源共栅电路下列说法正确的有（） A:共源共栅结构具有高输出阻抗特性 B:共源共栅电流源可近似代替理想恒流源 C:共源共栅结构具有高输出摆幅 D:共源共栅结构具有屏蔽特性 答案: 共源共栅结构具有高输出阻抗特性;共源共栅电流源可近似代替 点我阅读全文
下列说法正确的是（） A:所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接，起到小信号电阻的作用 B:MOS管二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区 C:二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信 点我阅读全文
下列说法正确的是（） A:所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接，起到小信号电阻的作用 B:MOS管二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区 C:二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信 点我阅读全文
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）A:亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 B:MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器带隙基准设计 C:MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH， 点我阅读全文
下列关于MOS模型的说法正确的有（）A:MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立 B:当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算 C:MOS器件的低频小信号模型，主要考 点我阅读全文
下列关于小信号的说法，正确的是（）A:小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记 B:若小信号变化幅度过大，则会影响直流偏置点，需用大信号分析 C:假定某MOS器件的栅源过驱动电压VGS – VTH = 0.5V，则|vgs(t)|可视为小信号 点我阅读全文