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材料科学基础（西安科技大学） 2024智慧树满分答案
本门课程章节测试答案详情如下：
第一章 单元测试
1、判断题：
电磁力是原子间作用力的主要来源形式。
A:对
B:错
答案: 对
2、判断题：
均匀形核与非均匀形核的临界晶核尺寸是相等的。
A:对
B:错
答案: 对
3、判断题：
晶体的空间点阵是无限多种，但晶体结构是有限的。
A:对
B:错
答案: 错
4、判断题：
面心立方晶体结构与密排六方晶体结构的致密度和配位数均相等。
A:对
B:错
答案: 对
5、多选题：
sigma键的特点是（）
A:成键原子的电子云以肩并肩的方式
B:成键原子的电子云以头碰头的方式
C:键能相对较强
D:键长相对较短
答案: 成键原子的电子云以头碰头的方式;键能相对较强;键长相对较短
6、多选题：
碳在γ－Fe一般存在于Fe的八面体间隙中，理论是可以溶解的碳的质量分数为（ ），实际中碳在Fe中的最大溶解度的质量分数为（ ）
A:50%
B:2.11%
C:30%
D:17.6%
答案: 2.11%;17.6%
7、多选题：
与晶面族{123}等价的晶面包括以下哪些？
A:（123）
B:（132）
C:（321）
D:（312）
答案: （123）;（132）;（321）;（312）
8、单选题：
金属的塑性较好，从微观角度讲主要是因为（）
A:位错的形成和运动
B:晶面之间容易发生滑移
C:金属键中的自由电子被所有原子共享
D:金属原子易于运动
答案: 金属键中的自由电子被所有原子共享
9、单选题：
立方晶系中，晶胞中原子数最多的是哪一种点阵类型？( )
A:简单立方
B:面心立方
C:体心立方
D:底心立方
答案: 面心立方
第二章 单元测试
1、单选题：
晶体缺陷不包括（）
A:0维点缺陷
B:一维线缺陷
C:二维面缺陷
D:三维体缺陷
答案: 三维体缺陷
2、判断题：
位错是由晶体的两个原子面错排导致的。
A:对
B:错
答案: 错
3、判断题：
伯氏矢量可用来表征位错的方向。
A:对
B:错
答案: 错
4、判断题：
刃型位错的滑移面是由位错线与柏氏矢量所构成的平面，且是惟一的。
A:对
B:错
答案: 对
5、多选题：
关于位错的攀移的描述中正确的是（）：
A:刃型位错存在攀移运动
B:螺型位错不会发生攀移
C:攀移比滑移需要的能量高
D: 攀移是位错滑移运动的结果
答案: 刃型位错存在攀移运动;螺型位错不会发生攀移;攀移比滑移需要的能量高
6、多选题：
位错的交割带来的影响有（）
A:影响位错进一步的运动
B:影响材料的强度等性能
C:两条位错线交割后，经常产生一段曲折线段
D:位错的交割又可细分为割阶与扭折
答案: 影响位错进一步的运动;影响材料的强度等性能;两条位错线交割后，经常产生一段曲折线段;位错的交割又可细分为割阶与扭折
7、判断题：
研究位错的应变场应同时包括位错中心区和非中心区。
A:对
B:错
答案: 错
8、判断题：
位错的应变能总是与材料的弹性模量成正相关关系。
A:对
B:错
答案: 对
9、单选题：
关于位错的线张力的描述错误的是（）：
A:线张力与材料弹性模量成正比
B:线张力与伯氏矢量的模的平方成正比
C:线张力与弯曲半径r成反比
D:线张力与材料的泊松比成反比
答案: 线张力与材料的泊松比成反比
10、多选题：
柯氏气团的作用包括（）：
A:降低了晶体的应变能
B:提高了位错的稳定性
C:使位错线运动变得困难
D:导致晶体的塑性变形能力（屈服强度）提高
答案: 降低了晶体的应变能;提高了位错的稳定性 ;使位错线运动变得困难;导致晶体的塑性变形能力（屈服强度）提高
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